全球領(lǐng)先的高性能傳感器和模擬IC供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝(“A30”)。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導(dǎo)體高級0.35µm高壓CMOS制程工藝系列產(chǎn)品的0.9倍。

A30技術(shù)包括性能優(yōu)化的絕緣3.3V器件(NMOSI和PMOSI)、絕緣3.3V低壓器件(NMOSIL和PMOSIL)、一個(gè)具有薄柵氧化層厚度的絕緣高壓器件((NMOSI20T)、垂直雙極型晶體管(VERTN1和VERTPH)以及一個(gè)絕緣3.3V超級低噪聲晶體管(NMOSISLN)，可以提供0.46 pA/ÖHz水平的閃爍噪聲(@ 1kHz，ID = 1µA @ Vds = 3V，10x1.2µm²)。與H35制程工藝相比，可以降低高漏電流的閃爍噪聲至少4至10倍。整個(gè)器件還包括各種電容(聚酯電容、插入式電容和MOS電容)和電阻(擴(kuò)散電阻、阱電阻、聚酯電阻、高阻聚酯電阻和精密電阻)等無源器件。

A30制程工藝非常適用于超低噪聲傳感應(yīng)用和需要噪聲優(yōu)化輸入級或高信噪比的模擬讀出集成芯片，可為消費(fèi)類電子產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備開發(fā)出創(chuàng)新型的解決方案。A30制程工藝由艾邁斯半導(dǎo)體先進(jìn)的200mm制造工廠制造并全面檢測，可確保極低的缺陷密度和最高產(chǎn)量。所有0.30µm元件均按照0.35µm器件繪制并驗(yàn)證。在光罩車間內(nèi)根據(jù)完整的GDSII數(shù)據(jù)進(jìn)行制程微縮(0.9倍)，使得單位面積的晶圓可以生產(chǎn)出更多尺寸較小的芯片。

艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示：“我們的A30高性能模擬低噪聲制程工藝可以幫助開發(fā)出更具競爭力的傳感應(yīng)用和模擬讀出集成芯片，噪聲性能優(yōu)越是其一大關(guān)鍵。代工客戶利用A30制程工藝生產(chǎn)復(fù)雜的集成芯片可以獲得雙重收益，超低噪聲晶體管具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的閃爍噪聲系數(shù)，提高了性能，而光學(xué)收縮又大大減少了噪聲敏感應(yīng)用的芯片面積。”

A30制程工藝由艾邁斯半導(dǎo)體知名的行業(yè)設(shè)計(jì)套件hitkit提供支持?；贑adence公司的Virtuoso®定制集成芯片技術(shù)6.1.6，新的hitkit套件可幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)大幅縮減競爭激烈的密集模擬混合信號產(chǎn)品的上市時(shí)間。新的hitkit套件具備高精確仿真模型和基于Calibre和Assura以及靈活的SKILL參數(shù)單元(PCells)的提取和驗(yàn)證運(yùn)行設(shè)置，可提供全面的設(shè)計(jì)環(huán)境和成熟的硅路線。