致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出英飛凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)的一次突破，重新界定IGBT同級(jí)最佳效能。

該款器件采用TRENCHSTOP™ 5技術(shù)的新一代薄晶圓IGBT(絕緣柵雙極晶體管)，與當(dāng)前領(lǐng)先的解決方案相比，該產(chǎn)品大大降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率及功率密度并降低系統(tǒng)成本。憑借這一重大突破，英飛凌在IGBT性能方面設(shè)定了新基準(zhǔn)，并繼續(xù)在要求持續(xù)提升效率的市場占據(jù)領(lǐng)先位置。

由于擊穿電壓增加到650V，該全新技術(shù)為設(shè)計(jì)帶來了更高的安全裕度。目標(biāo)應(yīng)用為不間斷電源(UPS)、光伏逆變器、和逆變焊機(jī)等應(yīng)用中常見的升壓PFC(AC/DC)級(jí)和高壓DC/DC拓?fù)洹?/p>

TRENCHSTOP™ 5為兩個(gè)產(chǎn)品系列奠定了基礎(chǔ)。HighSpeed 5(H5)是易用型軟開關(guān)高速IGBT，用于即插即用取代現(xiàn)有的IGBT，因?yàn)槠淇奢p松融入產(chǎn)品設(shè)計(jì)之中。H ighSpeed 5 FAST(F5)是迄今為止最高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓?fù)涞腢PS逆變器的系統(tǒng)效率達(dá)到了98%以上。

TRENCHSTOP™ 5在IGBT性能方面帶來了飛躍，以更高的系統(tǒng)效率和更高的擊穿電壓，提升了可靠性。這會(huì)導(dǎo)致整個(gè)平臺(tái)的系統(tǒng)成本降低。對(duì)于那些要求在一個(gè)解決方案中具備所有這些特性的客戶而言，TRENCHSTOP™ 5是最佳選擇。全新的TRENCHSTOP™ 5技術(shù)為UPS應(yīng)用帶來了巨大益處。與當(dāng)今最好的來自英飛凌的HighSpeed(H3)相比，傳導(dǎo)損耗降低了超過10%，總開關(guān)損耗降低了超過60%。效率的大幅度提升使得可實(shí)現(xiàn)更低的工作結(jié)溫，確保更高的壽命周期可靠性，或?qū)崿F(xiàn)更高功率密度的設(shè)計(jì)。譬如，應(yīng)用測試已經(jīng)證明采用TO-220封裝的TRENCHSTOP™ 5比采用TO-247封裝的H3的外殼溫度低15%。

圖示1-大聯(lián)大品佳推出的英飛凌TRENCHSTOP™ 5效率測量：3 KVA H4逆變器, 20 kHz開關(guān)頻率

其他重大改進(jìn)包括飽和電壓(Vce(sat))正溫度系數(shù)和關(guān)斷開關(guān)損耗(Eoff)，確保性能在高溫操作期間不降低，并可直接進(jìn)行并聯(lián)。與H3相比降低60%的柵電荷(Qg)使得IGBT能以更低成本進(jìn)行更輕松驅(qū)動(dòng)。此外，TRENCHSTOP™ 5具有快速恢復(fù)續(xù)流二極管的溫度穩(wěn)定正向壓降(VF)，且反向恢復(fù)時(shí)間(Trr)不到50ns。低輸出電容(Coss和Eoss)帶來了杰出的輕載效率，是工作范圍主要在最大額定值40%以下的設(shè)計(jì)的理想之選。

圖示2-大聯(lián)大品佳推出的英飛凌TRENCHSTOP™ 5 V.S High Speed 3

F5+SiC Diode系統(tǒng)最高效率突破98%，而使用H5+FRD 效率相比于H3，全功率段效率提升0.2%以上;或者在維持原先的效率的基礎(chǔ)上提高開關(guān)頻率，減小電感等磁性組件尺寸，從而降低系統(tǒng)成本。

英飛凌高能效IGBT、二極管產(chǎn)品在UPS應(yīng)用推薦

1. PFC 二極管— 650V 超快恢復(fù)二極管

英飛凌的全新快速1和快速2功率硅二極管作為現(xiàn)有高功率600V/650V二極管的補(bǔ)充，填補(bǔ)了碳化硅二極管與發(fā)射極控制二極管之間的空白。全新極速和超高速二極管系列提供無與倫比的效率和可靠性以及超高的性價(jià)比。額外的50V確保更高的可靠性。

Rapid1 VF 1.35V，適合頻率范圍18KHz~40KHz，Rapid2 VF 1.6V，適合頻率范圍：40KHz~100KHz。

電流覆蓋范圍從8A到80A ，650V耐壓 ，型號(hào)如下：

2. TRENCHSTOP™ 5 IGBT