EPC2105氮化鎵半橋器件為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供更高效及具有更高功率密度的解決方案--推動(dòng)48 V轉(zhuǎn)至12 V并在300kHz頻率下開關(guān)的全降壓型轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)可以在10 A輸出電流時(shí)實(shí)現(xiàn)高達(dá)接近98%效率，以及推動(dòng)48 V轉(zhuǎn)至1 V并在300kHz頻率下開關(guān)的全降壓型轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)可以在14 A輸出電流時(shí)實(shí)現(xiàn)84%效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出80 V增強(qiáng)型單片式半橋氮化鎵晶體管(EPC2105)。透過集成兩個(gè)eGaN®功率場效應(yīng)晶體管成為單一器件可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙，從而提高效率(尤其是在更高頻率時(shí))及提高功率密度并同時(shí)降低終端用戶的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。EPC2105最理想應(yīng)用于高頻直流-直流轉(zhuǎn)換及推動(dòng)從48 V直接轉(zhuǎn)至1 V系統(tǒng)負(fù)載的高效單級轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。

在EPC2105半橋元件內(nèi)每一個(gè)器件的額定電壓是80 V。上面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值是10 mΩ，下面的場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側(cè)場效應(yīng)晶體管的尺寸大約是低側(cè)器件的四分之一，使得器件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉(zhuǎn)換器中可實(shí)現(xiàn)最佳直流-直流轉(zhuǎn)換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關(guān)速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。

開發(fā)板

EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發(fā)板，包含一個(gè)EPC2105集成半橋元件，內(nèi)含德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能并設(shè)有多個(gè)探孔，使用戶容易測量簡單波形及計(jì)算效率。

價(jià)格及供貨詳情

批量購買1000個(gè)EPC2105單片式半橋元件的單價(jià)為$7.17美元。