21ic訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司2013年9月宣布推出增強型氮化鎵功率晶體管系列產(chǎn)品中的最新成員- EPC2018。

EPC2018 晶體管為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)為25 mΩ，在柵極電壓為 5 V。它可以實現(xiàn)更高性能，因為它具備超高開關(guān)頻率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具備超小型封裝占板面積。

與先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，雖然導(dǎo)通電阻相同，EPC2018 器件具備超小型封裝占板面積及在開關(guān)性能方面比硅功率MOSFET器件高出很多倍。受惠于氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)的應(yīng)用包括高速直流-直流電源、負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器及許多需要納秒開關(guān)速度的電路等應(yīng)用。

宜普公司創(chuàng)辦人及首席執(zhí)行官Alex Lidow 稱“EPC2018 器件進(jìn)一步替我們氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列產(chǎn)品開拓新天地。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，它提供低電阻、低輸出電容、快速開關(guān)及因器件沒有反向恢復(fù)而可減少開關(guān)損耗。在D類音頻放大器應(yīng)用中，它則可以提高效率及改善音質(zhì)。”

EPC2018器件在一千批量時的單價為6.54美元