21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET® Gen III系列P溝道功率MOSFET。兩款MOSFET具有小占位的特點，在4.5V下具有相應(yīng)外形尺寸產(chǎn)品中最低的導(dǎo)通電阻。

12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封裝，在4.5V下的導(dǎo)通電阻為13.5mΩ，比最接近的同檔器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸規(guī)格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的導(dǎo)通電阻為22mΩ，比最接近的競爭器件低35%，在10V下具有業(yè)內(nèi)較低的15mΩ導(dǎo)通電阻。

SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手機、平板電腦和移動計算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中用做電池管理或負載開關(guān)。MOSFET的小尺寸封裝可在這些產(chǎn)品中節(jié)約PCB空間，其低導(dǎo)通電阻能夠減少導(dǎo)通損耗，進而減少功耗并延長兩次充電間的電池壽命。MOSFET的低導(dǎo)通電阻還意味著負載開關(guān)上的電壓降更低，可防止有害的欠壓鎖定現(xiàn)象。

Si5429DU的電壓等級達到30V，可用于采用多芯鋰離子電池的終端產(chǎn)品，SiA447DJ可用在尺寸和更低導(dǎo)通電阻是關(guān)鍵考慮因素的場合。另外，SiA447DJ能夠在1.5V下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓配合工作，節(jié)省電平轉(zhuǎn)換電路的空間和尺寸。

SiA447DJ和Si5429DU進行了100%的Rg測試，符合RoHS，無鹵素。如果需要更多信息，以便為您的應(yīng)用選擇合適的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。