近日，IP公司力旺電子旗下的OTP存儲器硅智財NeoFuse按照預(yù)期已經(jīng)成功導(dǎo)入華邦電25納米DRAM制程平臺，這一措施的實現(xiàn)，將對未來有很大影響，也將推動存儲器行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展。

NeoFuse硅智財使DRAM產(chǎn)品在封裝前的芯片測試及封裝后的產(chǎn)品測試均可進行修補，達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統(tǒng)雷射調(diào)校(Laser Trimming)相比，不僅降低調(diào)校成本與時間，并可使制造測試流程更加便利。尤其是在芯片封裝后仍可進行修補(Repair)，大大提升多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

可兼容于DRAM制程平臺的NeoFuse技術(shù)提供優(yōu)于一般工作范圍的操作電壓區(qū)間，有利客戶在產(chǎn)品設(shè)計上具備彈性并有效降低功耗。此外，NeoFuse的高編程良率，只需一次編程便可將資料成功寫入，可大幅降低操作復(fù)雜性和測試成本。

力旺業(yè)務(wù)發(fā)展中心副總何明洲表示，力旺硅智財解決方案已成功地導(dǎo)入各類型的芯片應(yīng)用。與華邦電共同合作，將力旺的NeoFuse導(dǎo)入25納米DRAM制程，將使整體產(chǎn)品測試更加靈活，更有效率地提供符合高端客戶與應(yīng)用需求的產(chǎn)品。

這一舉措的完成，不論是對力旺還是華邦電而言，都具有很重要的意義，對雙方的發(fā)展都有極大的好處，也為未來全面開展NeoFuse在二代DRAM制程的開發(fā)計劃打下了堅實基礎(chǔ)。