富士經(jīng)濟(jì)公布了半導(dǎo)體材料全球市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果以及未來預(yù)測(cè)。2006年半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模比上年增加16.9％，達(dá)到3.21萬億日元。從不同領(lǐng)域看，份額最大是占全體37％的“半導(dǎo)體晶圓”市場(chǎng)，達(dá)到1.18萬億日元。其次是占23％的“封裝相關(guān)”市場(chǎng)，達(dá)到7430億日元，然后是占12％的“光刻相關(guān)”市場(chǎng)，達(dá)到3860億日元。預(yù)計(jì)2012年的材料市場(chǎng)總體將比2006年增加28.0％，達(dá)到4.11萬億日元。  

    按半導(dǎo)體材料市場(chǎng)面向前工序或后工序來看，2006年的前工序材料市場(chǎng)，占半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總體的6成以上，達(dá)到2.75萬億日元，后工序材料市場(chǎng)達(dá)到1.1346萬億日元。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)計(jì)，2012年前工序材料市場(chǎng)將比2006年增加27.4％，達(dá)到2.644萬億日元，后工序材料市場(chǎng)將同比增加29.5％，達(dá)到1.4692萬億日元。 

    電容器用高介電質(zhì)材料2012年將增至3倍 
    富士經(jīng)濟(jì)指出未來3大引人注目市場(chǎng)是：高介電質(zhì)材料、NF3以及各向異性導(dǎo)電薄膜。2006年的電容器用高介電質(zhì)材料市場(chǎng)比上年增加30.0％，達(dá)到65億日元。電容器用高介電質(zhì)材料是指電容器用絕緣膜中采用的、比過去的SiO2和Si3N4介電率更高的材料。2012年的市場(chǎng)規(guī)模將比2006年增加192.3％，達(dá)到190億日元。該材料已從研究開發(fā)階段真正進(jìn)入到批量生產(chǎn)化階段，銷量也逐年增加。回顧2006年的需求，安裝微軟新操作系統(tǒng)“Windows Vista”的個(gè)人電腦和支持任天堂的新一代游戲機(jī)“Wii”用的DRAM均采用了該材料。2007年以后，DRAM和閃存也將增產(chǎn)，爾必達(dá)內(nèi)存和臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體的合營(yíng)公司將會(huì)進(jìn)行大規(guī)模投資等，因此需求有望進(jìn)一步擴(kuò)大。 
 
    溫室氣體排放量限制，NF3市場(chǎng)急劇增長(zhǎng) 
    由于溫室氣體的排放量限制，NF3（三氟化氮）市場(chǎng)急劇增長(zhǎng)。NF3代替SF6（六氟化硫），被用于等離子CVD（化學(xué)氣相沉積）裝置中使用的室內(nèi)洗滌用氣體。2006年的市場(chǎng)規(guī)模比上年增加16.3％，達(dá)到500億日元，供貨量達(dá)到3850噸。預(yù)計(jì)2012年，與2006年相比將增加68％，達(dá)到840億日元。受半導(dǎo)體和液晶面板需求擴(kuò)大影響，以年均10％以上的比例增長(zhǎng)。按不同地域看，包括日本在內(nèi)，亞洲的消費(fèi)量最大，日本市場(chǎng)的規(guī)模達(dá)到86億日元，在650噸左右。由于300mm晶圓半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)，韓國(guó)和臺(tái)灣的需求也非常大。 

    液晶面板需求擴(kuò)大 各向異性導(dǎo)電薄膜增長(zhǎng) 
    由于液晶面板的驅(qū)動(dòng)IC需求等原因，各向異性導(dǎo)電薄膜（ACF）市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大。2006年的市場(chǎng)規(guī)模比上年增加13.1％，達(dá)到950億日元。預(yù)計(jì)到2012年將比2006年增加47.4％，達(dá)到1400億日元。日本廠商占到市場(chǎng)份額的一半以上。據(jù)估計(jì)，特別是居首位的制造商日立化成工業(yè)、索尼化學(xué)情報(bào)設(shè)備2家公司將占到銷售數(shù)量的92％。