臺積電、北京清大共同發(fā)表65納米產(chǎn)學合作成果
16日,臺積電宣布,與北京清華大學共同發(fā)表65納米產(chǎn)學合作成果,該校于半數(shù)位鎖相回路(Phase Lock Loop)以及類比數(shù)位轉換器(Analog Digital Converter)二項研究,因臺積電在臺灣晶圓廠所提供的65nm制程晶圓共乘服務,創(chuàng)下世界級的里程碑,為中國的積體電路設計業(yè)帶來創(chuàng)新發(fā)展。
臺積電今(2010)年起在臺灣晶圓廠提供北京清華大學學生多次65奈米及90奈米制程晶圓共乘服務,讓該校學生們在臺積電協(xié)助下,落實系統(tǒng)單晶片(SoC)的數(shù)位、類比、射頻混合信號積體電路設計以及IP等先進研究專案的創(chuàng)新開發(fā),臺積電表示,目前已有具體成效。
在鎖相回路電路方面,已領先業(yè)界開發(fā)半數(shù)位(Semi-Digital)的設計方式,有效改善傳統(tǒng)全類比(Full Analog)及全數(shù)位(Full Digital)設計所導致的高漏電與高耗電的缺點,達到先進制程縮小晶片尺寸并能同時降低耗電的顯著成果,與國際已發(fā)表的傳統(tǒng)設計相較具有明顯優(yōu)勢。
類比數(shù)位轉換器方面,北京清華大學針對無線通訊產(chǎn)品所需的類比數(shù)位轉換器進行研究,提出簡化放大器與比較器的設計,在臺積電65奈米制程1volt(伏特)標準工作電壓下,其信號對諧波失真與噪聲比(Signal to Noise plus Distortion Reduction, SNDR) 精確性高達95dB (分貝),同時耗電小于380μw(微瓦),并且在工作電壓降低到0.6volt時,仍然保有90.2dB的SNDR水準,突破業(yè)界現(xiàn)有的SNDR表現(xiàn)。