東芝與海力士合作研發(fā)MRAM技術(shù)

時(shí)間：2014-06-06 17:14:49

關(guān)鍵字： RAM 東芝海力士 BSP

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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時(shí)就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲(chǔ)存量增加至GB等級(jí)的垂直磁化技術(shù)。摘要： MRAM是一種低耗電

【導(dǎo)讀】MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時(shí)就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲(chǔ)存量增加至GB等級(jí)的垂直磁化技術(shù)。

摘要： MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時(shí)就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲(chǔ)存量增加至GB等級(jí)的垂直磁化技術(shù)。

關(guān)鍵字：東芝， 海力士， MRAM

東芝周三(713)宣布與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)合作研發(fā)磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)，今后將在韓國(guó)利川的海力士研究設(shè)施中集結(jié)雙方技術(shù)人才，積極推動(dòng)此合作計(jì)劃。

MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內(nèi)存，東芝早在2007年時(shí)就已經(jīng)研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術(shù)，也就是能讓MRAM內(nèi)存儲(chǔ)存量增加至GB等級(jí)的垂直磁化技術(shù)。

藉由此次合作，東芝打算運(yùn)用本身擅長(zhǎng)的NAND閃存技術(shù)與MRAM組成信賴度高的組合式記憶系統(tǒng)，藉此創(chuàng)造除了SSD固態(tài)硬盤、芯片事業(yè)之外的新NAND閃存應(yīng)用模式。

東芝說明，選擇與海力士合作是因?yàn)樵撋缬性S多MRAM的研發(fā)實(shí)績(jī)，借著雙方合作既可降低研發(fā)成本，同時(shí)又能加速M(fèi)RAM的實(shí)用化進(jìn)程。往后也會(huì)視技術(shù)合作情形，與海力士協(xié)商研討共同制造MRAM相關(guān)產(chǎn)品的可能性。