摘要：  近年來陸續(xù)開發(fā)并量產(chǎn)高頻開關(guān)電源用功率晶體管、高清電視機(jī)用晶體管、半導(dǎo)體保護(hù)器件、雙向晶閘管、VDMOS功率器件、IGBT等產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)處于國內(nèi)領(lǐng)先，部分產(chǎn)品達(dá)到國際水平。

關(guān)鍵字：  半導(dǎo)體器件，  MOSFET，  汽車電子

定向增發(fā)募投項目助推MOSFET、IGBT為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。募投資金將投資建設(shè)“六英寸新型功率半導(dǎo)體器件擴(kuò)產(chǎn)項目”和“電力電子器件外延生產(chǎn)線項目”。這些項目通過向上游延伸，有助于提升公司整體盈利水平，提高功率器件產(chǎn)品的良率，降低成本，降低市場波動風(fēng)險。

MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用廣、增長快、進(jìn)口替代空間大。MOSFET廣泛用在消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制和計算機(jī)等領(lǐng)域，賽迪預(yù)計2013年中國的MOSFET市場規(guī)模將達(dá)到397.7億元。但一直以來該市場主要被國外廠商占領(lǐng)，F(xiàn)airchild、ST、IR等合計超過50%。