摘要：  功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車、高鐵、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代和不可或缺的重要作用，是低碳經(jīng)濟的關(guān)鍵核“芯”。

關(guān)鍵字：  igbt，雙極型晶體管，mosfet，功率器件，逆變器

在當今日益嚴峻的環(huán)境問題和能源消耗壓力下，低碳經(jīng)濟正成為世界各國的發(fā)展共識。而低碳經(jīng)濟涉及節(jié)能減排、風能、太陽能、智能電網(wǎng)、高速列車等產(chǎn)業(yè)。不為人所知的是，功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車、高鐵、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代和不可或缺的重要作用，是低碳經(jīng)濟的關(guān)鍵核“芯”。

簡單地說，igbt(insulated gate bipolar transistor)是一種雙極型晶體管(bipolar transistor，bjt)和mosfet復合的新型功率器件，即具有mosfet易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，同時又具有雙極型器件低飽和壓降而容量大的特點，頻率特性介于mosfet與功率晶體管之間，可正常工作于幾十khz頻率范圍內(nèi)，適合應用于直流電壓為600v及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、逆變器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

目前，在政策和市場的雙重推動下，國內(nèi)igbt芯片企業(yè)正面臨重要的發(fā)展機遇。

一、新能源、節(jié)能環(huán)保等政策為igbt市場注入發(fā)展動力

《能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》明確提出：到“十二五”末，每單位國內(nèi)生產(chǎn)總值能源消耗比“十一五”期末降低16%。由于電力是目前中國主要的工業(yè)能源，因此要實現(xiàn)國家節(jié)能減排的宏大目標，關(guān)鍵就是要有效降低工業(yè)生產(chǎn)過程中大電流和高電壓應用的功耗，如交流電機控制、繼電器、ups電源、開關(guān)電源、變頻器、有源濾波器、eps電源、工業(yè)傳動裝置、電梯或輔助傳動設(shè)備、機車與列車用電源等，以及提高新能源領(lǐng)域的能源轉(zhuǎn)換效率，如提高逆變器、風力發(fā)電設(shè)備等的轉(zhuǎn)換效率。而上述設(shè)備的關(guān)鍵核心器件就是igbt。

《“十二五”節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》在“節(jié)能產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù)”專題中指出，高壓變頻調(diào)速技術(shù)用于大功率風機、水泵、壓縮機等電機拖動系統(tǒng)，研發(fā)重點是關(guān)鍵部件絕緣柵極型功率管(igbt)。總體上，2012年，全社會用電量累計達49591億千瓦時，如果節(jié)省5%，則可以節(jié)約用電近2500億千瓦時，相當于2.5個三峽大壩的年發(fā)電量。如此大的節(jié)能潛力與我國目前粗放式的用電結(jié)構(gòu)共同決定了功率半導體器件，特別是igbt器件，具有十分重要的作用。

二、igbt市場持續(xù)快速增長，外資企業(yè)引領(lǐng)市場發(fā)展

1、igbt市場持續(xù)快速增長

在新能源、節(jié)能環(huán)?！笆濉币?guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內(nèi)igbt的發(fā)展獲得巨大的推動力，市場持續(xù)快速增長。預計2013年，國內(nèi)igbt市場規(guī)模將達68.3億元，同比增長15.2%。2013年至2015年國內(nèi)igbt市場規(guī)模的年均復合增長率將達到18.3%。

此外，下游應用市場的爆發(fā)式增長，將帶動igbt芯片銷量的持續(xù)快速增長。預計2013年，國內(nèi)igbt芯片市場銷量為4.8億元，同比增長17.0%。2013年至2015年該市場的年均復合增長率將達到20.3%。igbt芯片企業(yè)正分享著低碳經(jīng)濟帶來的高速增長機遇。

2、外資企業(yè)引領(lǐng)市場發(fā)展，本土企業(yè)奮起直追

在行業(yè)格局方面，外資企業(yè)引領(lǐng)市場發(fā)展。國內(nèi)前十大igbt供應商均為國外企業(yè)，主要是日本和歐美品牌，包括英飛凌、三菱、fuji、abb、ir、飛兆等。其中，英飛凌igbt芯片產(chǎn)量和收入位居全球市場首位，一些電力半導體廠家均從英飛凌購買igbt芯片封裝igbt模塊。2012年，英飛凌在國內(nèi)的igbt收入達到7.9億元，占據(jù)13.9%的市場份額。

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由于意識到igbt的關(guān)鍵性，國內(nèi)企業(yè)一直致力于實現(xiàn)igbt的國產(chǎn)化。近幾年，國產(chǎn)化出現(xiàn)了較大飛躍。天津中環(huán)半導體股份有限公司研制的6英寸fz單晶材料已批量應用，在國家“02”科技重大專項的推動下，8英寸fz單晶材料已取得重大突破;江蘇東光、華潤華晶、山東科達等企業(yè)已批量供應電磁灶用1200v npt型igbt。

3、廣闊的應用空間推動igbt市場加速發(fā)展

首先，變頻家電的迅速普及推動其核心器件igbt市場快速發(fā)展。變頻家電節(jié)能效果明顯，通常情況下變頻家電比定頻家電可節(jié)電30%-40%。在全國的節(jié)能減排大潮推動下，變頻空調(diào)銷量占空調(diào)總銷量的比例由2008年的不足7%上升到2012年的47%左右，市場出現(xiàn)爆發(fā)增長。預計2013年變頻空調(diào)銷量將繼續(xù)保持在2000萬臺以上。而中國變頻空調(diào)的普及率還有待進一步提升。另一方面，長期以來，影響變頻家電市場普及的重要因素是價格。隨著igbt國產(chǎn)化推進和變頻技術(shù)的日益成熟，變頻家電的市場價格將大幅下降?？梢灶A計，國內(nèi)變頻家電仍然有很大的增長空間，從而反過來為igbt市場帶來增長動力。

其次，電機節(jié)能是igbt的重要應用領(lǐng)域。電機用電占全國用電量的主要部分。事實上，我國工業(yè)用電占全社會用電總量約75%，其中電機用電占工業(yè)用電的60%左右。可以看到，電機用電占了國家近一半的用電量，是電能消耗的主要途徑。目前我國電機配備變頻器還不足10%，尚處于粗放式用電的階段，未來市場潛力巨大。隨著電機變頻器滲透率的大幅提高，勢必帶動未來igbt市場的快速增長。

再次，除了以上兩大推動力，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)爆發(fā)性增長將為igbt未來發(fā)展帶來新的突破點。《能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》提出，到2015年要實現(xiàn)太陽能發(fā)電裝機規(guī)模2015年達到2100萬千瓦，年均增長89.5%;風電為1億千瓦，年均增長26.4%。在技術(shù)上，太陽能發(fā)電過程中產(chǎn)生的是直流電，需要轉(zhuǎn)換為交流電才能并網(wǎng)使用;同時，由于風能的不穩(wěn)定性，風力發(fā)電機產(chǎn)生非固定頻率的交流電，需要進行交—直—交的轉(zhuǎn)換才能并網(wǎng)使用。兩者在電流的直交轉(zhuǎn)換中都需要以igbt為核心關(guān)鍵器件的逆變器?？梢灶A計，igbt在新能源領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。

此外，混合動力汽車(hev)和電動汽車(ev)的出現(xiàn)為igbt創(chuàng)造了一個新的市場。在混合動力車和電動汽車領(lǐng)域，逆變器的核心是igbt，負責將蓄電池中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電從而驅(qū)動電機運轉(zhuǎn)。目前hev、ev尚處于成長的初期，但發(fā)展方向十分明確，未來隨著hev、ev成本的下降和消費者節(jié)能意識的提高，新能源汽車銷售增長必將帶動igbt市場高速發(fā)展。[!--empirenews.page--]

高速列車市場也將帶來igbt的巨大需求。按照國家和各地政府規(guī)劃，未來十年我國將新增5000輛高速列車和地鐵列車。按照每列高速列車一般需要500個igbt模塊、每列地鐵列車需要50-80個igbt模塊測算，未來每年將平均新增10-20萬個igbt模塊需求。高速列車市場的繁榮必然帶動igbt模塊市場快速增長。

三、加大政策扶持力度，促進idm企業(yè)發(fā)展

由于中國igbt器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚，加之技術(shù)門檻難度高、投入大，目前中國市場的igbt產(chǎn)品基本依賴進口，國內(nèi)有數(shù)家從事中小功率igbt產(chǎn)品組裝企業(yè)，且未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。因此，政府應加大政策扶持力度，給予igbt企業(yè)更大的財政支持、稅收優(yōu)惠力度和相關(guān)人才引進補貼等，同時，支持igbt通過并購引進先進技術(shù)，加快國產(chǎn)化進程。

此外，igbt的特點是系統(tǒng)應用、器件設(shè)計和工藝加工密切結(jié)合，國際主流igbt生產(chǎn)企業(yè)均是idm企業(yè)。國內(nèi)大部分先進的igbt制造廠和設(shè)計企業(yè)分離，而絕大部分系統(tǒng)廠家還沒有能力獨立發(fā)展igbt芯片生產(chǎn)線。因此，政策應以市場為導向，發(fā)揮國內(nèi)市場規(guī)模優(yōu)勢，在此基礎(chǔ)上進行整合，支持發(fā)展idm企業(yè)，使我國最終發(fā)展成為igbt研發(fā)生產(chǎn)大國。

總體來看，由于在節(jié)能領(lǐng)域的重要性和應用領(lǐng)域的廣泛性，加上國家政策的鼓勵支持，igbt將受益于廣闊的應用空間帶來的發(fā)展機遇和國產(chǎn)化契機，正在成為低碳經(jīng)濟的關(guān)鍵核“芯”。