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[導讀]富士通半導體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)相容型并列介面的4Mbit鐵電隨機記憶體(FRAM)晶片--MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝,并且與標準低功耗SRAM相容,因此能夠在工業(yè)機械、辦公自

富士通半導體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)相容型并列介面的4Mbit鐵電隨機記憶體(FRAM)晶片--MB85R4M2T。MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝,并且與標準低功耗SRAM相容,因此能夠在工業(yè)機械、辦公自動化設備、醫(yī)療設備以及其他設備等應用中,取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。

FRAM具備非揮發(fā)性資料儲存功能,即使在電源中斷的狀況下仍能保護資料;隨機存取功能則能高速寫入資料。由于FRAM在寫入資料時若面臨電源臨時中斷或是停電,仍舊能夠安全地儲存資料,因此即使在電源中斷時還是能夠立即儲存參數(shù)資訊并即時記錄設備上的資料數(shù)據(jù)。

另外,MB85R4M2T無須任何電池即可持續(xù)地儲存資料,因此有助于發(fā)展更小型、更省電的硬體設備,且能降低總成本。其優(yōu)勢包含減少電路板面積,由于MB85R4M2T不須要透過電池儲存資料,因此能減少50%以上產(chǎn)品中所使用印刷電路板(PCB)記憶體與相關零件的面積。此外MB85R4M2T能降低功耗,相較于SRAM在主電源關閉的情況下將資料保存在記憶體時,每秒需要消耗約15微瓦(μW)的電流以保存資料,F(xiàn)RAM為非揮發(fā)性的記憶體,在電力關閉情況下不會耗費任何電力。FRAM移除電池不僅降低零件成本,也免除所有電池更換或維修相關的周期性成本,能大幅減低開發(fā)及營運的總成本。

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