中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心的科研團隊艱苦攻關，成功開展22納米關鍵工藝技術先導研究與平臺建設，在我國首先開展該技術攻關。

“高配”團隊迎挑戰(zhàn)

作為集成電路先導中心特聘的“千人計劃”專家，閆江參與了一場與時間的賽跑：在國家科技重大專項02專項的支持下，開展22納米先導工藝研發(fā)。

同時參與這場“賽跑”的，還有中科院微電子所所長執(zhí)行顧問、“千人計劃”專家、研究員楊士寧和集成電路先導中心主任、“千人計劃”專家、研究員趙超以及先導中心首席科學家、“千人計劃”專家、研究員朱慧瓏。

中科院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心團隊

在他們的前期忙碌后，一條擁有53臺套大型設備的8英寸研發(fā)線終于開始運行。

接下來的重頭戲是閆江帶領團隊進行工藝整合與集成，將22納米工藝器件研發(fā)出來。

讓國產芯片“站”起來

接到“接力棒”的閆江也將“生死”置之度外：“哪怕有1%的希望，我們都會爭取按時高質量地完成研發(fā)任務。”

為此，22納米攻關指揮部制定了一份苛刻的倒計時計劃，“流片實驗到任何一個環(huán)節(jié)，相關工藝工程師必須先于流片到位。”閆江說。同時，壓縮所有能夠壓縮的試驗環(huán)節(jié)，甚至有段時間這條8英寸的工藝平臺24小時連軸運轉。

“2012年4月，我們用20天時間，拿出了第一個線寬比較大的芯片，這驗證了整個工藝設備的可靠性。”

“按照緊湊的實驗節(jié)奏，2012年10月，第一個25納米柵長的晶體管(NMOSFET)流片實驗成功”……趙超回憶著倒計時里的各項欣喜。

“最后，我們做到6次流片實驗均首次成功。”閆江說。集成電路先導中心用7個月的時間漂亮地完成了原定兩年多時間的工作：國內首次采用后高K工藝流程，獲得小于30納米柵長的NMOSFET和PMOSFET器件，器件性能優(yōu)良;對柵工程中閾值電壓(Vt)調節(jié)，界面層去除，柵介質及金屬層填充等工藝難點作了系統(tǒng)研發(fā)，為工業(yè)界的二次開發(fā)提供了一系列工藝解決方案。

“到目前為止，我們雖然遇到了不少困難，但都能一步步地克服，順利地完成既定目標。”趙超介紹，“這說明我們的機制合理、技術方案比較扎實，當然，還有運氣好。”

“壓力很大，有苦有累，卻很甜蜜也非常有成就感。”閆江道出了團隊的真實感受。

整個團隊的付出開始得到回報：該團隊在更具挑戰(zhàn)性的鰭型晶體管(FinFET3D)研發(fā)上已經取得良好進展。以年輕人為主力軍的FinFET研發(fā)隊伍，已提前完成大線寬的器件集成目標，與工業(yè)主流工藝兼容的FinFET工藝集成和器件將在2013年底之前完成。

這些成果將為國內芯片制造企業(yè)的生產技術開發(fā)掃清道路、為半導體集成電路行業(yè)中無生產線設計公司(簡稱Fabless)及早介入工藝創(chuàng)造條件。趙超表示：“我們有信心與半導體集成電路行業(yè)中芯片代工廠(簡稱Foundry)一起打造自主研發(fā)的20～14納米技術。”