在近幾年的北京國際信息通信展中，LTE是當之無愧的主角。尤其是TD-LTE，作為我國自主知識產(chǎn)權(quán)的下一代通信技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。
2010年的展會上，各參展商重點對TD-LTE的“快”進行了現(xiàn)場演示。其中，多路高清視頻傳輸展現(xiàn)了TD-LTE超快的傳輸速度，在線互動游戲展示了TD-LTE的低時延、反應(yīng)快。2011年展會召開恰逢TD-LTE規(guī)模試驗第一階段結(jié)束，各參展商重點展示了規(guī)模試驗中取得的一項項成果，展現(xiàn)了TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展之快。
進入2012年，在中國移動提出TD-LTE發(fā)展三年計劃的激勵下，TD-LTE發(fā)展速度進一步加快，TD-LTE已經(jīng)進入發(fā)展的快車道。
最明顯的用戶體驗是“快”
相比3G，LTE最明顯的特征是“快”。這種快得益于頻譜效率的提高，表現(xiàn)為更高的上下行速率。在單載波的情況下，如果使用20MHz+20MHz的帶寬，F(xiàn)DD LTE下行峰值速率可以達到150Mbps。而TD-LTE在使用20MHz(3：1時隙配比)的情況下，下行峰值速率能夠達到110Mbps。如果引入載波聚合，TD-LTE聚合20MHz+20MHz的情況下，下行峰值速率可以達到220Mbps。不論是110Mbps還是220Mbps，TD-LTE的峰值速率都遠遠超過了目前國內(nèi)最快HSPA+的21.6Mbps。
事實上，記者曾多次體驗TD-LTE的高速，由于具體環(huán)境和網(wǎng)絡(luò)配置存在差異，TD-LTE的平均下行速率在50Mbps至80Mbps之間。相比3G，TD-LTE在用戶體驗方面的提高給人留下了深刻的印象，其最突出的特點就是“快”。下載一部高清電影只需要幾分鐘，下載一首歌曲只需要幾秒鐘，在線觀看高清視頻絲毫不需要緩沖。
產(chǎn)業(yè)鏈駛?cè)肟燔嚨?/strong>
TD-LTE雖然速度很快，但在國際上卻面臨同樣很快的FDD LTE的強力競爭。目前，全球已經(jīng)有49個國家的100家運營商推出了商用LTE服務(wù)，而部署TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的運營商僅為11家。要想趕上發(fā)展的時間窗口，TD-LTE必須加快發(fā)展步伐。
縱觀TD-LTE一年來的發(fā)展歷程，與TD-SCDMA當年的發(fā)展速度相比，已經(jīng)快了很多。2012年年初，中國移動高調(diào)宣布了TD-LTE三年部署計劃：到2014年，全球建成超過50萬個TD-LTE基站，截至2012年底，將在國內(nèi)建設(shè)超過2萬個TD-LTE基站。這無疑為產(chǎn)業(yè)鏈吃下了定心丸。
2012年5月，大部分設(shè)備廠商都已經(jīng)完成了規(guī)模試驗第二階段的測試，達到了預期的測試目標。隨即中國移動在全國開啟了多張TD-LTE體驗網(wǎng)，高清視頻會議、即攝即傳等富媒體應(yīng)用被集中展示。7月，中國移動香港有限公司宣布將在香港建設(shè)FDD LTE及TD-LTE無縫雙制式融合網(wǎng)絡(luò)。目前，擴大規(guī)模試驗網(wǎng)絡(luò)招標項目已經(jīng)啟動，規(guī)模試驗城市增加到13個。
一年來，TD-LTE經(jīng)歷了大跨步的發(fā)展。關(guān)于下一步的擴大規(guī)模試驗，工業(yè)和信息化部電信研究院王志勤表示，第一，要實現(xiàn)TD-LTE擴大規(guī)模試驗網(wǎng)絡(luò)與TD-SCDMA現(xiàn)網(wǎng)的功能業(yè)務(wù)、多模終端、互操作和KPI等，推進產(chǎn)品成熟;第二，與現(xiàn)有核心網(wǎng)、網(wǎng)管、計費等系統(tǒng)的融合測試，面向友好用戶的網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和業(yè)務(wù)質(zhì)量測試，提升用戶體驗;第三，對網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、規(guī)劃優(yōu)化、業(yè)務(wù)開發(fā)和運營維護中的關(guān)鍵問題，開展相關(guān)研究驗證，為商用積累經(jīng)驗;第四，實現(xiàn)祖沖之算法完整性保護、增強型智能天線自適應(yīng)、LTE支持IPv6、等級4終端、新型天線等驗證應(yīng)用。
終端決定商用速度
如果說TD-LTE正在沖刺商用，那么決定TD-LTE能否達到商用要求的那個關(guān)鍵因素是終端。目前TD-LTE終端主要以數(shù)據(jù)卡、MiFi、CPE等為主，缺乏商用的手機。而這主要受制于終端芯片的發(fā)展。目前，40納米芯片工藝的處理能力能夠支持TD-LTE數(shù)據(jù)卡終端的使用，但用于手機終端時功耗仍然偏大。在實驗室中，采用40納米工藝的LTE終端芯片的耗電量約為目前3G商用終端的2倍。
因此，發(fā)展28納米工藝的TD-LTE芯片成為目前亟待解決的問題。根據(jù)初步數(shù)據(jù)，28納米芯片能夠節(jié)省20%的耗電，而且仍具有優(yōu)化空間。但目前28納米芯片因其成本高昂，還不具備大規(guī)模量產(chǎn)的能力。尤其是國內(nèi)芯片制造企業(yè)在設(shè)計、研發(fā)、制造等方面與國際領(lǐng)先企業(yè)仍有一定的差距，迫切需要攻克28納米芯片工藝的技術(shù)難點。業(yè)內(nèi)專家預計，2013年的Q3/Q4有望實現(xiàn)包括TD-SCDMA/TD-LTE在內(nèi)的28納米多模工程樣片多廠商供貨，2014年中爭取實現(xiàn)TD-LTE的28納米多模芯片的基本商用化和多廠商供貨。
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