聯(lián)發(fā)科展訊聯(lián)芯惡戰(zhàn)難免:角力TD芯片
如果說當前TD終端產業(yè)發(fā)展的阻力有哪些?待機時間短和售價偏高是一大障礙。與此直接相關的,便是上游TD芯片的高功耗和高成本。
1月19日,主流TD芯片供應商之一,展訊通信有限公司(納斯達克:SPRD)在北京高調宣布,全球首款采用40納米工藝的TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片已研發(fā)成功,并正式投入商用。
據了解,目前聯(lián)芯科技、T3G、聯(lián)發(fā)科等主流TD芯片供應商,基本采用65納米、甚至90納米工藝制程,其成本和功耗居高不下,一直是TD終端發(fā)展的一大阻力。
“采用40納米工藝的TD芯片,其功耗能降低30%,成本降低50%。”在展訊董事長李力游看來,一旦40納米芯片規(guī)?;耐葡蛏逃檬袌觯琓D終端產品的制造門檻和成本有望大幅降低。
目前尚不知該款TD芯片的最終市場定價。但來自展訊內部的多個渠道消息顯示,基于40納米工藝,手機成本可以做到與2.75G終端成本相當——這意味著TD手機終端價格有望降到100美金以下。目前TD手機市場價至少在千元以上。
更為值得關注的是,TD上游芯片市場的格局,可能由此生變。
在目前的TD手機芯片市場,聯(lián)芯科技(與聯(lián)發(fā)科合作TD芯片)和T3G兩家占據超過70%以上的市場份額,展訊份額約25%。市場研究機構iSuppli中國研究總監(jiān)王陽認為,隨著40納米TD芯片的推出,展訊的市場份額有望得到提升。
與此相關的一個產業(yè)背景是,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科基于TD芯片的合作,早已出現(xiàn)裂痕。聯(lián)芯科技獨立研發(fā)的TD芯片已開始商用,而聯(lián)發(fā)科與傲世通合作的TD芯片也計劃于本季度正式上市。
可以預見,今年上半年TD芯片市場難免一場惡戰(zhàn)。
一位芯片設計公司高層分析,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科的分道揚鑣,讓各自的產品線都處在“左右互搏”的尷尬境地,而T3G的TD芯片成本偏高一直為其市場軟肋:“選在這個時點推出40納米TD芯片,展訊抓住了一個相對有利的時機。”
這正是展訊CEO李力游的“算盤”。據李力游透露,按照原定的研發(fā)計劃,展訊原本打算延續(xù)65納米的工藝制程,“但考慮到功耗和成本依舊偏高,即便推出65納米TD芯片,展訊在市場上也不占優(yōu)勢。”
基于此,展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片。“盡管風險巨大,但時不我待。”一位展訊內部人士如此形容TD芯片市場競爭的急迫狀態(tài)。
事實上,各大TD芯片供應商也在暗自角力。據了解,聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科,目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計劃。“按照正常的研發(fā)周期測算,一般要在一年半到兩年時間。”李力游認為,在TD芯片性價比上,“展訊將有至少領先一年的時間差。”
據悉,目前包括高通、博通在內,全球主流的3G芯片商用產品,一般集中在65納米工藝,少數產品達到45納米工藝。
最新消息顯示,包括青島海信、華為終端公司在內的多家手機廠商,已經開始采用展訊此款芯片,并通過了工信部的入網檢測和中國移動的入庫檢測。“其最終的性能是否達到大規(guī)模商用化的要求,還有待市場檢驗。”有業(yè)內人士分析。