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回顧過(guò)去五年的產(chǎn)業(yè)大勢(shì),中國(guó)一直是半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)能增長(zhǎng)速度最快的區(qū)域。最大產(chǎn)能增速出現(xiàn)在2003和2004年,這兩年產(chǎn)能分別增長(zhǎng)了100%和82%。而全球的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能在2003年僅增長(zhǎng)了4%,2004年增長(zhǎng)為9%。最近幾年增長(zhǎng)速度有所放緩,這是中國(guó)芯片制造商越來(lái)越謹(jǐn)慎增加產(chǎn)能的一個(gè)信號(hào)。 國(guó)內(nèi)fab產(chǎn)能增長(zhǎng)的主要來(lái)源一直是從國(guó)外轉(zhuǎn)移過(guò)來(lái)的產(chǎn)能,并且以后也會(huì)如此。二手設(shè)備有兩種方式進(jìn)入國(guó)內(nèi):以二手fab的形式引進(jìn)整套晶圓加工生產(chǎn)線(如上海TSMC 200毫米fab和無(wú)錫的Hynix-ST 200毫米fab),或者二手設(shè)備在國(guó)內(nèi)以單件方式出售,幫助已建立的fab擴(kuò)大產(chǎn)能。 圖1表示2001年至今及在2007-2010年預(yù)測(cè)期內(nèi)由SMIC、HHNEC、HJTC、GSMC、ASMC、 Hynix-ST、TSMC(上海)、CSMC、GMIC、ProMOS、PowerChip、IC Spectrum及英特爾向中國(guó)實(shí)際轉(zhuǎn)移和可能轉(zhuǎn)移的200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能。該圖同時(shí)顯示出了這些芯片生產(chǎn)商200毫米同等設(shè)備的總產(chǎn)能。轉(zhuǎn)移產(chǎn)能與總產(chǎn)能的比率表明,利用轉(zhuǎn)移設(shè)備,中國(guó)的晶圓制造產(chǎn)能趨向于增大。 與圖1相似,圖2表示CSMC、SG-NEC、上海貝嶺、ASMC、BCD、SinoMOS、ACSMC、CSWC、士蘭微電子、方正微電子、福建富順微電子有限公司、XETC和Anadigics(昆山)在2001年至2006年間轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)的150毫米集成電路晶圓制造產(chǎn)能,以及對(duì)2007年到2010年的預(yù)測(cè)。同時(shí)還顯示出這些芯片制造商的150毫米晶圓總產(chǎn)能,以及年末累計(jì)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能和每年的增長(zhǎng)率。 荒原
從2001年到2004年,轉(zhuǎn)移的200毫米晶圓制造產(chǎn)能大部分歸因于TSMC(上海)和和艦。Hynix-ST轉(zhuǎn)移一座200毫米fab和ASMC擴(kuò)張200毫米fab使2006年又成為向中國(guó)轉(zhuǎn)移設(shè)備的高峰年。2006年以前,國(guó)內(nèi)幾乎所有的頂級(jí)fabs都在采用或者考慮采用二手設(shè)備來(lái)擴(kuò)大200毫米晶圓產(chǎn)能——包括SMIC、HHNEC和GSMC。將來(lái)三年,200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能的增長(zhǎng)速度和累計(jì)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能的增長(zhǎng)速度都會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于2002-2007年期間的增長(zhǎng)速度。盡管2010年前國(guó)內(nèi)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移仍會(huì)十分活躍,但國(guó)內(nèi)安裝的所有200-300毫米晶圓制造產(chǎn)能幾乎有一半可能是從國(guó)外市場(chǎng)上轉(zhuǎn)移而來(lái)。
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關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 安集科技 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) FAB