中國集成電路設(shè)計業(yè)2018 年會暨珠海集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇今日在珠海舉行。會議上臺積電副總經(jīng)理陳平談到了AI和5G的出現(xiàn)，將極大地促進新時代的產(chǎn)品創(chuàng)新，也給IC行業(yè)帶來了更多的機會。

一直以來，驅(qū)動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長的引擎在不斷地更替變化。從最早的大型計算機開始，到后來的個人電腦、移動電子設(shè)備，再到如今的普及運算，而AI和5G的出現(xiàn)更是將極大地促進新時代的產(chǎn)品創(chuàng)新。陳平指出，從2010年到2020年，預(yù)估數(shù)據(jù)通信量的復(fù)合年均增長率將超過50%。

陳平表示，產(chǎn)品的創(chuàng)新離不開工藝技術(shù)的演進，無論是智能手機、高性能計算機、自動駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品，都需要各種各樣且越來越先進的工藝技術(shù)加持。

而提到半導(dǎo)體行業(yè)的工藝，談及最多的就是邏輯器件的微縮技術(shù)。陳平強調(diào)，從1987年開始的3μm工藝到如今臺積電所擁有的7nm工藝，邏輯器件的微縮技術(shù)并沒有到達(dá)極致，還將繼續(xù)延伸。他還透露，臺積電最新的5nm技術(shù)研發(fā)順利，明年將會進入市場，而更高級別的3nm技術(shù)正在繼續(xù)。

在半導(dǎo)體先進制程進入到10納米之下，微縮技術(shù)更加復(fù)雜，牽扯設(shè)計已經(jīng)不止電路線設(shè)計，還有光刻、晶體管架構(gòu)與材料等等，這些都讓EUV極紫外光刻成為關(guān)鍵技術(shù)。過去半導(dǎo)體生產(chǎn)使用波長193納米的深紫外(DUV)曝光，但制程發(fā)展到 130 納米時便有行業(yè)人士提出，需用極紫外(EUV)光刻。

陳平表示，EUV的引進使得光刻將不再是邏輯器件微縮的技術(shù)瓶頸。同時材料和器件架構(gòu)的創(chuàng)新，例如FinFET和Nanowire等結(jié)構(gòu)和GE和MoS2等材料的支持，都將使得晶體管持續(xù)微縮。

此外，陳平還展示了臺積電的硅工藝平臺，為了服務(wù)新時代的整個產(chǎn)品線，臺積電需要縱橫兩個方向的完備工藝(邏輯工藝和衍生工藝)，在完成了單純的邏輯工藝或衍生工藝后，新時代需要面對的問題就是系統(tǒng)整合要求。

他表示，如何把先進邏輯工藝制造的各類器件整合在一起已經(jīng)成為新的挑戰(zhàn)，而傳統(tǒng)的封裝工藝對性能和功耗將有很大限制，所以最近臺積電提出的解決方案是3D封裝技術(shù)。

3D封裝能解決諸多系統(tǒng)集成的問題。以客戶產(chǎn)品為例說明，一個大型GPU通過CoWoS 2.5D整合技術(shù)與若干顆HBM2芯片整合在同一個芯片上，整合后的芯片算力相當(dāng)于100個CPU，所含晶體管數(shù)量超過3000億個。

然而，先進工藝、特殊工藝和先進封裝的研發(fā)都需要大量的資金投入。陳平補充道，2017年，臺積電的研發(fā)投入已經(jīng)超過了26億美元，有超過6000個研發(fā)工程師夜以繼日的工作，為設(shè)計行業(yè)的合作伙伴提供創(chuàng)新技術(shù)。

另外，陳平表示，除了研發(fā)以外，臺積電還需要加大資本投入來保證足夠的產(chǎn)能，以支持創(chuàng)新和量產(chǎn)。在過去三年，臺積電每年的資本輸出均超過100億美元。

在全球前20(不含存儲器)晶圓制造廠商的產(chǎn)能排名圖中，臺積電遙遙領(lǐng)先于其他廠商。

當(dāng)然，有了工藝技術(shù)和產(chǎn)能過后，還需要一個很好的設(shè)計生產(chǎn)環(huán)境。臺積電與合作伙伴們打造了一個以臺積電為基礎(chǔ)的開放創(chuàng)新平臺，平臺上有一流的EDA公司、IP公司和最好的設(shè)計服務(wù)公司，將與臺積電一同打造最完備的設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)，在最快時間完成客戶的訂單。

陳平表示，以臺積電的眼光看，AI和5G的出現(xiàn)給IC行業(yè)帶來了很多的機會，令人興奮。臺積電定位是一個被信賴的技術(shù)和產(chǎn)能的提供者，來服務(wù)設(shè)計公司。