過去幾年時間里，英特爾雖然在桌面領(lǐng)域仍過著“獨孤求敗”的日子，但是生于憂患死于安樂，最近圍繞其芯片制造技術(shù)的話題討論越來越多了，特別是與很多開始被人熟知的芯片制造廠商相比，比如臺灣的芯片制造商臺積電。

很多話題討論的開始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對制造工藝的升級。最初，臺積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20納米”過渡的“14/16納米”，而且將會重點發(fā)展稱之為“FinFET”的晶體管結(jié)構(gòu)器件，重點宣傳新工藝相比傳統(tǒng)而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

另一方面，當(dāng)時英特爾也正處于22納米工藝技術(shù)到14納米的過渡中，并且英特爾也掌握了第二代FinFET(Tri-Gate)器件技術(shù)。不過，英特爾的動作太慢了，導(dǎo)致三星和臺積電各自挑釁稱，其16和14納米已經(jīng)領(lǐng)先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離22納米的工藝制程，并且還有事實證明，臺積電的20納米工藝的晶體管密度比英特爾的22納米更高。

英特爾從22納米過渡到14納米的時間實在過漫長，這點不假，而且英特爾也意識到了，在工藝制程技術(shù)同步發(fā)展的過程中，晶體管密度的競爭相當(dāng)重要。事實上，面對民間乃至業(yè)界廣為談?wù)摰恼`導(dǎo)性話題，英特爾并沒有刻意的做任何回應(yīng)，但當(dāng)英特爾正式公布自家14納米技術(shù)時，才真正確定了不可動搖的領(lǐng)先地位。

下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

從這個英特爾的圖來看，英特爾承認(rèn)自家的32納米不如28納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到22納米與20納米工藝的對比，結(jié)果亦是如此。不過，確實只有在14納米和16納米工藝節(jié)點，才超過了其余競爭對手，確立起領(lǐng)先的地位。

所以，三星和臺積電所說的都是事實，這兩大越來越出色的芯片代工廠在20納米制程時代確是領(lǐng)先于英特爾22納米。但不可否認(rèn)英特爾新一代14納米更為出色，至少晶體管密度的優(yōu)勢上超過了其他對手的14/16納米工藝節(jié)點。

工藝是一回事，那晶體管的實際性能呢?

多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的芯片技術(shù)，只是在臺積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代 FinFET工藝，畢竟其余競爭對手在其14納米問世時，均處于第一代FinFET工藝水平。簡單的說，英特爾14納米正式問世之初，從晶體管性能的角度來看，整整領(lǐng)先了競爭對手一代。

在很多對芯片深度評測的機構(gòu)報告中，尤其是權(quán)威站點ChipWorks，我們可以看到英特爾14納米晶體管所有性能指標(biāo)均領(lǐng)先于其他競爭對手。更重要的是，ChipWorks通過先進的透射電子顯微鏡觀察分析發(fā)現(xiàn)，英特爾14納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個星球上迄今最先進的半導(dǎo)體工藝，全面領(lǐng)先代工廠的14/16納米。

英特爾22納米和14納米晶體管鰭片細(xì)節(jié)對比：

所以，質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢競爭中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的14納米FinFET工藝晶體管細(xì)節(jié)與上面英特爾的對比就能明白。在22 納米時代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但14納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動電流和性能。

而三星的14納米FinFET工藝晶體管細(xì)節(jié)，請注意看，很顯然更像是2011年英特爾22納米工藝時代的水平，宣稱超越難免有點大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代FinFET工藝打造。

三星14納米FinFET晶體管細(xì)節(jié)圖：

當(dāng)然了，性能突飛猛進不太現(xiàn)實，而且英特爾考慮到了移動領(lǐng)域和其他應(yīng)用的競爭，畢竟在這些領(lǐng)域不需要非常高的CPU頻率。但說到頻率，英特爾的14nm駕馭大于4GHz不會存在任何技術(shù)障礙，而代工廠的14/ 16納米當(dāng)前仍然相當(dāng)困難。

代工廠一直在進步

不可否認(rèn)，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺積電的進步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長期處于領(lǐng)先，但當(dāng)前十分需要將差距拉開更大。

我們不清楚英特爾是否是缺乏競爭壓力，但在移動領(lǐng)域，三星14納米FinFET、臺積電16納米FinFET兩大工藝的競爭可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準(zhǔn)備，不止是第二版，還包括第三版。

例如說，臺積電第一代是標(biāo)準(zhǔn)的16納米FinFET工藝，之后推出的第二代FinFET Plus(FF+)增強版已經(jīng)部署。至于下一代FinFET Compact(FFC)也已經(jīng)完成了設(shè)計研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

三星方面，其第一代14納米是Low Power Eatly(LPE)，現(xiàn)在第二代Low Power Plus(LPP)已經(jīng)開始量產(chǎn)，重點產(chǎn)品為Snapdragon 820和Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版14納米也將很快推出。

更長遠(yuǎn)的計劃上，無論是三星和臺積電都已經(jīng)開始朝著10納米的目標(biāo)邁進。臺積電表示，10納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到2016年年底，或者是 2017年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅稱2016年年底10納米就可量產(chǎn)，2017年一定會出現(xiàn)在手機和平板電腦上。

反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于10納米工藝的產(chǎn)品按計劃要等至2017年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長期自信滿滿，但在當(dāng)前競爭環(huán)境中，還真的得加把勁了。