聯(lián)電(UMC)日前宣布，與 ARM合作、基于聯(lián)電14奈米FinFET制程生產的PQV測試晶片已經(jīng)投片(tape out)，代表ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯(lián)電高階晶圓制程驗證;同時聯(lián)電也宣布與新思科技(Synopsys) 拓展合作關系，于聯(lián)電14奈米第二個PQV測試晶片上納入新思DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統(tǒng)測試與修復解決方案。

與ARM的14奈米合作案延續(xù)自雙方成功將ARM Artisan 實體 IP整合至聯(lián)電28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產制程。而聯(lián)電14奈米FinFET制程技術驗證，是聯(lián)電FinFET制程啟動其他IP生態(tài)系統(tǒng)的第一步，包括基礎IP 矽智財(foundation IP)和ARM處理器實體設計。

ARM實體IP設計事業(yè)部總經(jīng)理Will Abbey表示：“ARM和聯(lián)電已在數(shù)個技術世代上持續(xù)合作，且成果卓越。采用聯(lián)電14奈米FinFET制程的Cortex-A系列核心測試晶片正式設計定案，對我們來說十分振奮。ARM與聯(lián)電將針對此高階制程技術的研發(fā)持續(xù)保持緊密合作。”

此外聯(lián)電與新思合作開發(fā)的第二個14奈米PQV，提供了更多矽資料，可讓聯(lián)電進一步微調其14奈米FinFET制程以實現(xiàn)最佳化的功耗，效能與位面積表現(xiàn)。雙方已成功設計定案了第一個聯(lián)電14奈米FinFET制程PQV，包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool)，而此次PQV則繼續(xù)拓展夥伴關系。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出：“新思科技與聯(lián)電擴展的合作關系展現(xiàn)了雙方共同的目標，也就是協(xié)助晶片設計公司在聯(lián)電制程上，將我們的DesignWare矽智財結合到其系統(tǒng)單晶片設計上?，F(xiàn)已有超過45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout)，新思科技將持續(xù)傾全力致力于為FinFET制程提供高品質矽智財，使晶片設計公司能夠降低整合風險，并加速量產時程。”

聯(lián)電表示，該公司14奈米FinFET制程已經(jīng)展現(xiàn)卓越的128mb SRAM產品良率，并預計于2015年底接受客戶投片。