21ic訊 Energy Micro宣布其一直與臺積電緊密合作來驗證臺積電的eLL(超低漏電流工藝)技術給其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器帶來的好處。和臺積電的密切配合，使Energy Micro可以很早接觸這一最新的工業(yè)技術，從而進一步增強其MCU產(chǎn)品性能。

臺積電的eLL超低漏電流工藝是其嵌入式閃存(EmbFlash)技術最新的改良版，相比之前的解決方案，該工藝帶來更低的功耗-待機電流降低50-70%，運行電流降低30%。

Energy Micro的全球銷售副總裁Andreas Koller說：“EFM32 MCU產(chǎn)品的低功耗性能使其從競爭產(chǎn)品中脫穎而出。過渡到帶浮點單元的ARM Cortex-M4 這一32位的DSP CPU 內(nèi)核是很自然的舉動，同時我們的低功耗Gecko技術也受益于臺積電有著最好低功耗性能的最新工藝。”

臺積電歐洲總裁Maria Marced說：“Energy Micro的低功耗MCU產(chǎn)品有著出色的低功耗特性和產(chǎn)品性能。Gecko技術與臺積電的超低漏電流嵌入式閃存處理工藝的結(jié)合，使得Energy Micro的產(chǎn)品的功耗顯著降低，從而進一步增強Energy Micro的競爭地位。”