日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)(Elpida)與東芝(Toshiba)決定自2011年7月起，增加新款儲(chǔ)存內(nèi)存產(chǎn)量。其中爾必達(dá)決定加強(qiáng)日本廣島工廠和臺(tái)灣工廠的產(chǎn)能, 將產(chǎn)能提升至75%，確保搶先開發(fā)出25納米DRAM的先機(jī)。東芝則決定于2011年9月將產(chǎn)能提升至60%，穩(wěn)定技術(shù)領(lǐng)先地位。

爾必達(dá)在2011年6月底的新款DRAM生產(chǎn)比例為15%，而產(chǎn)業(yè)龍頭南韓面板大廠三星電子(Samsung Electronics)的比例估計(jì)為50%。爾必達(dá)預(yù)估三星最快將于2011年12月推出25納米DRAM，因此刻意猛沖產(chǎn)量，鞏固率先開發(fā)25納米DRAM所帶來的先機(jī)。

爾必達(dá)于2011年5月創(chuàng)下世界首例，成功開發(fā)25納米DRAM，同時(shí)該公司重新檢討DRAM設(shè)計(jì)電路，創(chuàng)立能用較低成本生產(chǎn)DRAM的方法，使設(shè)備投資成本控制在以往的3分之1到4分之1，能以較南韓、臺(tái)灣、美國等同業(yè)更低的成本，生產(chǎn)新款DRAM。

世界第2大閃存廠東芝，決定讓設(shè)置于日本三重縣四日市的新工廠，成為專門制造新款24納米、19納米內(nèi)存的中央工廠。該公司以往新產(chǎn)品都采少量生產(chǎn)政策，本次趁著新工廠成立，決定在2011年9月一口氣將生產(chǎn)比例提高至60%。

東芝在閃存的微細(xì)化技術(shù)，一直是世界指標(biāo)，與三星約有半年的技術(shù)差距，但和英特爾(Intel)及美光(Micron)競爭激烈。該公司計(jì)劃設(shè)立新工廠，并大量生產(chǎn)新款產(chǎn)品，確保對(duì)海外大廠的優(yōu)勢。

半導(dǎo)體業(yè)界中，日本企業(yè)的稅務(wù)與人事費(fèi)用、水電等雜項(xiàng)支出，都比南韓、臺(tái)灣來得吃重。如今又適逢日?qǐng)A升值、美元下跌，使收益變相減少。因此為增加利潤，大廠決定加強(qiáng)生產(chǎn)新款產(chǎn)品，讓收益穩(wěn)定。