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[導(dǎo)讀] 導(dǎo)語:Ivy Bridge的開蓋風(fēng)潮似乎還在昨天,Haswell又“慘遭毒手”了。兩代產(chǎn)品同樣都是22nm 3D晶體管工藝,封裝內(nèi)部硅脂都是很廉價的。Core i7-3770K被普遍發(fā)現(xiàn)如果開蓋換用更好的硅脂和散熱器,核心溫

導(dǎo)語:Ivy Bridge的開蓋風(fēng)潮似乎還在昨天,Haswell又“慘遭毒手”了。兩代產(chǎn)品同樣都是22nm 3D晶體管工藝,封裝內(nèi)部硅脂都是很廉價的。Core i7-3770K被普遍發(fā)現(xiàn)如果開蓋換用更好的硅脂和散熱器,核心溫度能夠降低一大截。盡管也有試驗得出了不同的結(jié)論,但一般來說,Ivy Bridge確實存在“開蓋有獎”的問題,嚴(yán)重程度基本看人品。

那么,Haswell能夠避免這個問題么?前期情況看比較難,工藝、硅脂沒什么變化的同時,Haswell還整合了電壓控制器,并引入了AVX2、TSX指令集,一級、二級緩存的數(shù)據(jù)帶寬也翻了一番,都導(dǎo)致處理器功耗和溫度進(jìn)一步提升,很多型號規(guī)格變化不大但是熱設(shè)計功耗增加不少就是明證,一時間關(guān)于Haswell高溫的爭議甚囂塵上。

日本同學(xué)此前曾經(jīng)撬開了Core i7-4770K的頂蓋,但還沒做任何測試。PCEVA論壇的royalk又開始了他的新一輪冒險。

測試的對象是一顆正式零售版的4770K,但遺憾的是,零售版的4770K滿大街都是雷U,絕大多數(shù)超到4.5GHz都無法穩(wěn)定通過拷機,完全不如工程樣品。又讓Intel給騙了。

而測試的這一顆更是大雷,開蓋前4.5GHz都不穩(wěn)定,只能跑4.4GHz,核心電壓為1.25V,外部供電輸入電壓是默認(rèn)的1.8V。內(nèi)存運行在DDR3-2666 11-13-12,電壓1.172V。

royalk去年的測試發(fā)現(xiàn)Ivy Bridge頂蓋對導(dǎo)熱能力影響不大,溫差不超過0.5℃,所以關(guān)鍵還是在內(nèi)部硅脂。這次他就省略了CPU核心直接接觸散熱器底座的部分,直接開蓋并換上酷冷博Liquid Ultra液態(tài)金屬作為導(dǎo)熱介質(zhì)。

測試平臺配置:

處理器:Intel Core i7-4770K

主板:技嘉GA-Z87X-OC

內(nèi)存:芝奇F3-17000CL11D-8GBXL

顯卡:微星N660 TwinFrozr 2GD5/OC

硬盤:浦科特PX-128M2P

電源:安耐美Revolution 85+ 1050W

散熱器:貓頭鷹NH-U14S

CPU頂蓋與散熱器外部導(dǎo)熱介質(zhì):采融Megahelems Rev.B原配硅脂

CPU核心與頂蓋內(nèi)部導(dǎo)熱介質(zhì):去年開3770K頂蓋用剩下的酷冷博Liquid Ultra

測試環(huán)境:全程空調(diào)26℃、裸機

注意:以下行為非常危險,首先會讓你的CPU失去保修,其次稍不注意如果損傷核心,就會讓你的CPU一命嗚呼,所以大家可以圍觀,切勿效仿!刊登本文僅出于技術(shù)探討目的,對任何因打開CPU頂蓋而造成的問題不負(fù)責(zé)任!

零售版Core i7-4770K,生產(chǎn)周期L306B334。

開蓋工具是吉列剃須刀的刀片。友情提示:千萬不要用鈍刀片或者厚刀片去切CPU的封膠,否則很容易劃傷PCB,后果就是CPU直接掛掉。為了保險起見,多買幾片是不錯的選擇。

還是和對待3770K一樣切開頂蓋四周的黑膠。注意不要用太大力道。切左邊和上下的時候不要切太深,以免碰到核心和電容,當(dāng)然也得小心自己的手指。

完工后近距離特寫。毫無疑問是和IVB一樣很普通的硅脂。

頂蓋背后的硅脂也還是又干又硬的,和IVB的一樣。

清理殘留硅脂和黑膠,可以看到比IVB多了一排Vccin輸入濾波電容。

Haswell的內(nèi)核很狹長。

Liquid Ultra液態(tài)金屬硅脂。

薄薄地涂一層。不能涂太厚,否則反而會影響散熱效果。

裝回頂蓋的時候有個小技巧,可以在核心周圍粘一些雙面膠,受壓力和受熱后還會讓PCB、頂桿粘得很牢,再次開蓋也會很容易。

最后擦干凈頂蓋上的硅脂和黑膠,蓋回,大功告成。

上機,準(zhǔn)備測試。

測試運行20分鐘的Prime 95 27.9 Blend模式,第10分鐘起開始記錄溫度,20分鐘之后截圖。Small FTT模式固然會讓溫度更高,但是開蓋前直接就100度了,會自動降頻,就不能和開蓋之后公平對比了。

開蓋前:燒機20分鐘,四個核心各自平均溫度為78.5、78.4、78.2、77.1℃,RealTemp錄得最高溫度為88℃。

開蓋后:燒機20分鐘,四個核心各自平均溫度為63.1、65.5、66.2、65.9℃,RealTemp錄得最高溫度為73℃。

對比圖:很明顯了,至少這一顆4770K開蓋換硅脂后核心溫度大幅降低了12-15℃,平均只有65℃左右,最高也只有70多,再次證明了Intel的坑爹做法。

此外,開蓋之后可以穩(wěn)定跑4.5GHz。Vccin 2V、Vcore 1.315V下拷機20分鐘溫度最高也只有80℃,而開蓋前很快就會90℃。

不管怎么說,22nm 3D晶體管工藝雖然先進(jìn),但是直接導(dǎo)致晶體管和內(nèi)核太小、太集中,反而不好散熱,這是新工藝不可避免的缺陷,而且估計會在下一代14nm上更加嚴(yán)重(不知道Broadwell跳票到2015年是否與此有關(guān))。

Intel偏偏此時又放棄釬焊,改而在內(nèi)核與頂蓋之間使用廉價硅脂,進(jìn)一步影響了散熱,導(dǎo)致溫度偏高、超頻困難,不知道怎么想的。

總之,雖然這次只是個例測試,但已經(jīng)足以證明老毛病依然在Haswell上存留。至于該怎么辦,如果你只是普通用途,就不要糾結(jié)了,日常沒什么影響的,但如果你想大幅超頻(這個還不如去用工程樣品),或者經(jīng)常執(zhí)行高負(fù)載任務(wù)、對溫度很敏感,又或者有完美主義強迫癥,又或者喜歡折騰和冒險,那就勇敢地去開吧騷年。

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