今年64層堆疊的3D TLC閃存已經(jīng)是SSD市場的絕對主流，用96層堆疊閃存的SSD也開始上市了，廠商們已經(jīng)向更高層的128層堆疊進軍，在年初的2019閃存峰會上SK海力士還有國內(nèi)的長江存儲已經(jīng)宣布了他們的開發(fā)計劃，現(xiàn)在東芝與西數(shù)的128層堆疊閃存計劃也泄露了出來。

Blocks & Files已經(jīng)拿到了東芝與西數(shù)的128層堆疊3D NAND的部分資料，它將會被命名為BiCS 5，而96層堆疊的3D NAND則名為BiCS 4，128層堆疊閃存將會使用CuA設(shè)計，邏輯電路層在芯片的底部，而數(shù)據(jù)層則堆疊在上方，與非CuA技術(shù)相比這可把芯片尺寸縮小15%。目前公布出來的128層堆疊3D NAND使用TLC設(shè)計，存儲密度接近96層堆疊的3D QLC，存儲密度比自家的96層堆疊3D TLC提升了29.8%，如果采用QLC設(shè)計的話存儲密度會更高。

BiCS 5的閃存單die采用4 Planes設(shè)計，而與2 Planes設(shè)計相比寫入速度從66MB/s提升到132MB/s，這以為著SSD在SLC Cache用光之后TLC的原始寫入速度會變得不會那么難看，不過具體的寫入速度表現(xiàn)還得看主控的算法，如果用全盤SLC Cache的方案，Cache用光后依然沒法看。

預(yù)計東芝與西數(shù)會在2020年末開始投產(chǎn)128層堆疊的BiCS-5閃存，而產(chǎn)能應(yīng)該在2021年才會提上去，屆時才能看到對應(yīng)的SSD產(chǎn)品。