今日三星在官網宣布量產10nm工藝內存顆粒的SO-DIMM規(guī)格DDR4內存，單條最大32GB，頻率最高可達2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。

以往在SO-DIMM上實現32GB內存十分費勁，比方說之前的芝奇推出的Ripjaws 3800MHz DDR4內存就是用的三星高端B-die 內存顆粒，但是需要用到四條8GB才能組成總容量32GB。而這一次三星依靠在存儲顆粒上的優(yōu)勢，量產出10nm單顆粒16Gb(2GB)的內存IC，最后可以制作出單條32GB的SO-DIMM內存。而且頻率進一步提升至2666MHz水平，剛好與現在的高端第八代酷睿處理器相匹配，同時得益于10nm工藝的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達到39%之多，這個也為增加筆記本續(xù)航時間+1s。

三星表示，推出高容量高規(guī)格的SO-DIMM規(guī)格內存可以幫助筆記本廠商組建性能更強游戲筆記本，同時自身還會進一步擴展10nm工藝在存儲領域的利用，未來還將會推出10nm的LPDDR4、GDDR5、DDR4內存顆粒。