單條可達32GB、2666MHz 三星量產(chǎn)10nm工藝筆記本DDR4內(nèi)存
[導讀]這一次三星依靠在存儲顆粒上的優(yōu)勢，量產(chǎn)出10nm單顆粒16Gb(2GB)的內(nèi)存IC，最后可以制作出單條32GB的SO-DIMM內(nèi)存。而且頻率進一步提升至2666MHz水平，剛好與現(xiàn)在的高端第八代酷睿處理器相匹配，同時得益于10nm工藝的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達到39%之多，這個也為增加筆記本續(xù)航時間+1s。
今日三星在官網(wǎng)宣布量產(chǎn)10nm工藝內(nèi)存顆粒的SO-DIMM規(guī)格DDR4內(nèi)存，單條最大32GB，頻率最高可達2666MHz，同時運行功耗將可以下降39%之多。
以往在SO-DIMM上實現(xiàn)32GB內(nèi)存十分費勁，比方說之前的芝奇推出的Ripjaws 3800MHz DDR4內(nèi)存就是用的三星高端B-die 內(nèi)存顆粒，但是需要用到四條8GB才能組成總?cè)萘?2GB。而這一次三星依靠在存儲顆粒上的優(yōu)勢，量產(chǎn)出10nm單顆粒16Gb(2GB)的內(nèi)存IC，最后可以制作出單條32GB的SO-DIMM內(nèi)存。而且頻率進一步提升至2666MHz水平，剛好與現(xiàn)在的高端第八代酷睿處理器相匹配，同時得益于10nm工藝的更低漏電率，其功耗從7.4W下降至4.5W，幅度達到39%之多，這個也為增加筆記本續(xù)航時間+1s。
三星表示，推出高容量高規(guī)格的SO-DIMM規(guī)格內(nèi)存可以幫助筆記本廠商組建性能更強游戲筆記本，同時自身還會進一步擴展10nm工藝在存儲領(lǐng)域的利用，未來還將會推出10nm的LPDDR4、GDDR5、DDR4內(nèi)存顆粒。
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