三星使用V-NAND技術(shù)加大固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)能力
5月30日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星使用最新存儲(chǔ)技術(shù)加大了新的1TB固態(tài)硬盤(pán)的存儲(chǔ)能力。該固態(tài)硬盤(pán)主要面向高端個(gè)人電腦,采用三星第二代V-NAND技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使得儲(chǔ)存芯片可以垂直疊放。
三星同時(shí)發(fā)布了128GB, 256GB和 512GB的固態(tài)硬盤(pán)。在手提電腦上,1TB的固態(tài)硬盤(pán)存儲(chǔ)量還可以少量增加,目前可以最多增加512G的容量。三星表示,相比儲(chǔ)存模塊并列設(shè)置的舊NAND固態(tài)硬盤(pán),新固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入耐久性是原來(lái)的兩倍,并且效率比原來(lái)的增加了20%
由于三星仍在改進(jìn)V-NAND技術(shù),并希望在固態(tài)硬盤(pán)中疊置32個(gè)NAND儲(chǔ)存層,目前該固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格尚不可知。
去年發(fā)布的第一代V-NAND疊置了24個(gè)儲(chǔ)存層。儲(chǔ)存層之間通過(guò)專(zhuān)有方式連接和傳輸數(shù)據(jù)。這種儲(chǔ)存芯片疊置的方式已經(jīng)在內(nèi)存芯片和單芯片系統(tǒng)設(shè)備上使用過(guò)。
儲(chǔ)存芯片垂直重疊的新方式使儲(chǔ)存設(shè)備體積更小、功效更強(qiáng)。三星公司表示今年晚些時(shí)候?qū)?huì)發(fā)布基于V-NAND研發(fā)的更為可靠的儲(chǔ)存設(shè)備。