硬盤行業(yè)正在進行著一場性能對決容量的戰(zhàn)爭，由希捷引領的硬盤—閃存混合設備對陣西數—HGST的充氦氣設備。在技術介紹會上，希捷暗示可能要推出新的固態(tài)混合設備(SSHD)—這將把非易失性NAND緩存和磁片結合起來—涉及到貼片磁記錄技術(SMR)和熱輔助磁記錄技術(HAMR)。

希捷把貼片技術作為推動如今廣泛使用的垂直磁記錄技術的一種方式。存儲行業(yè)正在接近超順磁技術的極限——大約為1Tbit/in2磁錄密度，超過了這個限度，用于記錄數據的磁性顆粒就會太小，在溫度改變或受到周圍顆粒的影響下，它們的磁極就會改變，從而影響數據存儲。

如今希捷硬盤存儲的數據大概是500到600Gbit/in2 ，從理論上來說，希捷可以推出第六代PMR設備，密度達到700至800Gbit/in2 磁錄密度，但是它會這樣做嗎?

以 前希捷說過，它可能在今年推出第一款SMR設備(容量達到4.8至5TB)，在2014年推出HAMR設備，容量達到6.4TB。很明顯，SMR和 HAMR將會同時出現。我們認為，SMR硬盤將會用于低隨機寫入率的應用，而HAMR硬盤將會用于高寫入率的設備，至于閃存混合硬盤，將會用于高讀取率的 軟件，當然，與固態(tài)硬盤相比，它們價錢要可以接受才行。

同時我們也注意到西部數據的HGST對生產混合硬盤好像沒有興趣。

雖然希捷沒有明確提到會在以后推出這些產品，但是從邏輯上來講，這些混合閃存的SMR和HAMR產品最終會出現在市場上。

若SMR和HAMR算是未來的技術，那現在希捷要在其硬盤產品中采用的技術就是混合技術?，F在充氦硬盤已經出現，這些就是現在的技術。

桌面混合硬盤

我們在三月份的時候介紹過這種硬盤，現在我們有了更多的信息。這種3.5英寸的硬盤將會有2，3，4TB的容量版本，還可能有16GB到32GB的NAND緩存用于系統(tǒng)引導文件，或用于其它高訪問率的數據塊。它的轉速能達到5400rpm。

我們還聽說這種硬盤會在下個季度上市。

企業(yè)級渦輪混合硬盤

希捷把這種硬盤稱為世界上速度最快的硬盤，它是2.5英寸混合硬盤，轉速達到10000rpm，容量最高能到600GB。

我們猜測，不久之后就會有轉速達15000rpm的版本出現。希捷宣稱10k的版本的隨機讀取性能最高能達15000rpm版本硬盤的三倍，這主要是通過一個16GB的MLC NAND緩存控制熱數據來實現的。

我們認為希捷的NAS硬盤最終也會混合化，這在邏輯上是行得通的。有一條關于希捷介紹會的評論是：假以時日，所有的硬盤都會變成混合硬盤。希捷所有的硬盤都會成為SSHD。換句話說，希捷會把它所有的產品都混合化。

我們還了解到希捷在測試數據自動定位功能。通過這個功能，用戶可以自主選擇把什么數據存儲在閃存中，而不用依賴自動化控制器或軟件。那將會在硬盤中裝更多的NAND，以便自動選擇數據存儲到閃存緩存中。這個概念可與英特爾的“智能緩存”相媲美。

驚人的貼片磁記錄技術

借助貼片磁記錄技術，連續(xù)的寫入磁道可跟原先的磁道重疊，并有效地縮小它們，又因為讀取頭比寫入頭更窄，所以仍然可以讀取這些單獨的磁道。

當數據被重新寫入時，問題就來了：寫入頭相對較寬，新的磁道區(qū)域將會覆蓋下一個磁道區(qū)域，從而刪除它。所以磁盤系統(tǒng)不得不先讀取將要被覆蓋的磁道區(qū)域，保存數據，然后再寫入新的數據，最后做一步至關重要的操作——把保存的數據再次寫入進去。

但 是這種二次寫入覆蓋了下一個磁道，這樣那些在將要被覆蓋的磁道的數據，要經過讀取，保存等一系列操作直到磁盤壽命到頭。另外數據寫入時還要插入到磁道組或 磁道帶之間的空間以保證在一個磁道帶內進行連續(xù)的重寫。希捷沒有透露在一個帶上有多少個磁道，不過它指出軌道帶之間的空間被浪費了，從這個意義上來說，如 果合理利用的話，這些空間可以記錄數據。

如今的PMR存儲技術使得在每個磁道之間都有空間，而貼片磁記錄技術則嘗試利用盡可能多的空間來記錄數據，雖然會以犧牲隨機寫入速度為代價，但最終能實現理想的連續(xù)寫入性能。

貼片磁記錄技術，可以被用于PMR和HAMR硬盤設備中。目前我們還無從知曉什么時候SMR硬盤會出現。但我們被告知目前已經有了標準的SMR硬盤產品，它們正作為潛在的產品被測試評估，我們則覺得希捷的Terascale設備的后繼者將會使用SMR技術。

HAMR技術

據我們之前透露，PMR能實現大約1Tbit/in2 的磁錄密度，而HAMR最高能實現 5Tbit/in2的磁錄密度。

如 今的PMR設備的磁錄密度會受多方面的影響，比如溫度改變會導致數據丟失，而HAMR則很好地解決了這個問題，它采用一種新的記錄介質，有很高的矯頑磁性 價值，這意味著就算是溫度發(fā)生隨機變化，它所記錄的信息也不會發(fā)生改變。但這使寫入數據變得困難，保存數據的區(qū)域需要在數據被寫入之前能隨時被激光脈沖加 溫，冷卻之后，數據的狀態(tài)才保持穩(wěn)定。因此，這種技術才被稱為熱輔助磁記錄技術(HAMR)。

希捷的發(fā)言人表示HAMR硬盤可能在“這十年的后期出現”，但是他還表示希捷的CEO，董事長兼總裁史蒂夫·盧克索對金融分析師做了陳述，內容是關于去年研究的HAMR技術。

HAMR聯(lián)手貼片技術對決氦氣

借 助氦氣，HGST的硬盤將會實現容量的大幅度提升，當然，前期是這項技術起作用。這家公司可以把更多的磁片放入到一個3.5英寸或2.5英寸的硬盤中，在 其中充入氦氣來代替正常的空氣，借此來增加容量。這是因為氦氣的密度比空氣低，磁片所受的阻力更小，而精密的內部機械機制會把讀寫頭移動到磁表面，降低震 動的影響，這樣就可以放入更多的磁片，刻錄更多的數據軌道。

讓我們假設這種方法可行，然后HGST就會把現有的數據存儲技術向著充入氦氣的技術轉移，接著實現硬盤容量1.5倍的增長，最后我們就可以有來自希捷的4TB容量第五代PMR硬盤，同時還會有來自HGST的6TB容量的第五代氦氣硬盤。

若 希捷生產SMR硬盤來競爭，那HGST可以做一個氦氣SMR硬盤來保持自己的容量優(yōu)勢。這樣的話，希捷可以借助HAMR來實現磁道密度的提升，憑此帶來的 硬盤工作效率的提升來對抗HGST氦氣硬盤的大容量。希捷還會混合化它的硬盤產品，以它們的讀取性能優(yōu)勢來對抗競爭對手。

除非HGST能和希捷一樣在同樣的時間范圍內推出HAMR硬盤，否則和希捷相比，它的氦氣硬盤的容量優(yōu)勢可能會變得沒有優(yōu)勢。

一旦HGST推出使用HAMR技術的產品，氦氣HAMR硬盤將會大大提高HGST的容量優(yōu)勢。我們相信希捷也正在研究氦氣硬盤技術，它以前拒絕過這項技術，不過現在看來，這項技術將成為擊敗HGST容量優(yōu)勢的重要因素。