公司今天宣布，在以3D芯片堆疊為基礎的下一代移動和消費應用芯片制造道路上達成重要的里程碑。

表示，旗下位于紐約州薩拉托加縣的Fab 8晶圓廠，已開始安裝一套特殊的生產(chǎn)工具于公司領先的20nm技術平臺，在半導體晶圓處理過程當中，可以進行透硅通孔（TSV）。 TSV能力將讓客戶設計多個芯片堆疊產(chǎn)品，滿足未來電子設備苛刻要求。

基本上來說，TSV技術，可以啟用垂直堆疊的集成電路之間的通信。例如，該技術可以讓電路設計者，在處理器芯片上堆疊內存芯片，顯著提高內存帶寬，并降低功耗，滿足下一代芯片，如智能手機、平板電腦芯片對功耗降低的苛刻要求。

目前，三維堆疊集成電路正越來越多地被視為傳統(tǒng)晶體管節(jié)點技術的替代品。然而，采用新的芯片封裝技術，芯片之間相互作用復雜性越來越強，會讓芯片代工晶圓廠和合作伙伴提供完美解決方案的難度越來越高。

公司CTO表示，年初與合??作伙伴共同開發(fā)芯片封裝新的解決方案，為客戶提供最大的選擇和靈活性，同時節(jié)約成本和開發(fā)時間，并減少開發(fā)新技術相關風險。隨著TSV功能在20nm Fab 8晶圓廠啟用，GLOBALFOUNDRIES公司為整個半導體生態(tài)系統(tǒng)添加從設計到組裝和測試的全新能力。

作為世界上技術最先進的晶圓制造商，GLOBALFOUNDRIES公司最大領先優(yōu)勢在于美國新建的Fab 8工廠，具備領先32/28nm工藝的20nm以下技術。預計采用TSV技術的晶圓，將于2012年第三季在Fab 8工廠批量生產(chǎn)。

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