據(jù)外電報(bào)道，韓國(guó)現(xiàn)代半導(dǎo)體公司(Hynix)報(bào)告說(shuō)，雖然二季度屬傳統(tǒng)增長(zhǎng)放緩淡季，但公司二季度凈利潤(rùn)比上季度增長(zhǎng)了13%，比去年同期增長(zhǎng)41%。 

　　研究公司iSuppi估計(jì)，韓國(guó)芯片制造商一季度分別在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場(chǎng)占有14%的市場(chǎng)份額?，F(xiàn)代半導(dǎo)體公司稱:二季度由于整個(gè)行業(yè)供應(yīng)不足，DRAM市場(chǎng)價(jià)格相對(duì)堅(jiān)挺。供應(yīng)不足的原因是產(chǎn)品生產(chǎn)收縮方面的困難。

　　轉(zhuǎn)向較大容量的專業(yè)DRAM芯片也給標(biāo)準(zhǔn)DRAM內(nèi)存的供應(yīng)帶來(lái)了壓力?，F(xiàn)代半導(dǎo)體公司報(bào)告稱:二季度DRAM內(nèi)存平均售價(jià)比上季度增長(zhǎng)了1%，出貨數(shù)量比去年同期增長(zhǎng)20%。DRAM對(duì)公司整體銷售額的貢獻(xiàn)增長(zhǎng)了4個(gè)百分點(diǎn)，占銷售總額的67%。

　　然而，現(xiàn)代公司另一項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品是NAND閃存，二季度閃存產(chǎn)品平均銷售價(jià)格比上季度猛降了44%，盡管出貨數(shù)量猛增了84%。與上季度相比，閃存產(chǎn)品對(duì)公司銷售總額的貢獻(xiàn)也降低了4個(gè)百分點(diǎn)，占銷售總額的33%。

　　現(xiàn)代公司解釋說(shuō)，閃存平均銷售價(jià)格下跌的原因是產(chǎn)品種類調(diào)整，即轉(zhuǎn)向更高儲(chǔ)存密度產(chǎn)品和多層晶片生產(chǎn)。該公司強(qiáng)調(diào)，84%出貨數(shù)量的高增長(zhǎng)確實(shí)導(dǎo)致了平均銷售價(jià)格下跌。公司將出貨量猛增原因歸結(jié)為生產(chǎn)工藝的平滑轉(zhuǎn)型，即轉(zhuǎn)向70納米級(jí)單層晶片和90納米級(jí)的多層晶片技術(shù)。