ZDNet China 2月23日北京報道：Hynix首席財務官ChungHyung-ryang周日(22日)表示，Hynix中國大陸全資子公司建廠選址流程即將完成，估計2005年下半年就可投入DRAM量產(chǎn)，屆時即不會有關稅之類的貿(mào)易糾紛。此外，把Hynix南韓部分生產(chǎn)設備移往中國，也是可行方案。

　　Chung并未說明Hynix將在中國何地建廠，也不愿透露年產(chǎn)目標，不過Chung表示其非內(nèi)存業(yè)務處分作業(yè)可望在4月底前定案。且Hynix年底前會把NAND型flash月產(chǎn)能由1萬顆提高到3萬顆。