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[導(dǎo)讀]Predictions Software Ltd.公司日前宣布,其DFM一體化支持(DUF)工藝即校準(zhǔn)良品率模型將被臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司TSMC導(dǎo)入。 定義每片晶片總模子數(shù)Gross Die Per Wafer(GDPW)的二個(gè)因子是每片晶片的芯片良品率和芯片數(shù)(由

Predictions Software Ltd.公司日前宣布,其DFM一體化支持(DUF)工藝即校準(zhǔn)良品率模型將被臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司TSMC導(dǎo)入。

定義每片晶片總模子數(shù)Gross Die Per Wafer(GDPW)的二個(gè)因子是每片晶片的芯片良品率和芯片數(shù)(由設(shè)計(jì)區(qū)域定義)。當(dāng)一旦設(shè)計(jì)完成后良品率充當(dāng)主要角色時(shí),設(shè)計(jì)區(qū)域和良品率在設(shè)計(jì)階段可得到平衡。DFM允許使用譬如通過(guò)復(fù)制(via duplication),導(dǎo)線(xiàn)優(yōu)化(wire optimizations),和基于瑕疵的間距調(diào)整(defect-based spacing)等手段。現(xiàn)在DFM技術(shù)不必增加區(qū)域即可達(dá)到并獲得最優(yōu)的良品率。最大化的GDPW在一個(gè)典型的半導(dǎo)體產(chǎn)品壽命中可以節(jié)約成千上萬(wàn)美元。

傳統(tǒng)上良品率改善已經(jīng)很好地留給了加工廠的人們。但是,經(jīng)常還有很多主要機(jī)會(huì)可以改變布局,以便處理瑕疵使之不導(dǎo)致良品率缺陷。在設(shè)計(jì)環(huán)境之內(nèi),以區(qū)域高效率的方式,在流片(Tape-out)之前,使用工藝校準(zhǔn)良品率模型將關(guān)鍵區(qū)域和布局分析集成到主流設(shè)計(jì)流程中不僅能夠辨認(rèn)缺陷的數(shù)量,并且還能夠減少這些缺陷。工藝校準(zhǔn)良品率信息現(xiàn)在可以應(yīng)加到半導(dǎo)體IP中,基于單元(cell-based)設(shè)計(jì)或顧客布局,模擬和混合信號(hào)設(shè)計(jì)中。

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關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電源

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關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng)電源 開(kāi)關(guān)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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