[導讀]意法半導體(ST)與韓國Hynix半導體(Hynix)近日宣布,由兩家公司共同出資、投資總額高達20億美元的存儲器芯片合資項目Hynix-ST(Hynix-ST)半導體有限公司近日在無錫正式開業(yè)。據(jù)稱,這是中國目前最大
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半導體(ST)與韓國Hynix半導體(Hynix)近日宣布,由兩家公司共同出資、投資總額高達20億美元的存儲器芯片合資項目Hynix-ST(Hynix-ST)半導體有限公司近日在無錫正式開業(yè)。據(jù)稱,這是中國目前最大的晶圓制造項目。 name=DESCRIPTION>
意法半導體(ST)與韓國Hynix半導體(Hynix)近日宣布,由兩家公司共同出資、投資總額高達20億美元的存儲器芯片合資項目Hynix-ST(Hynix-ST)半導體有限公司近日在無錫正式開業(yè)。據(jù)稱,這是中國目前最大的晶圓制造項目。
這個技術(shù)先進的新工廠將負責制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片,該合資公司是Hynix與ST成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟帶來的巨大的經(jīng)濟效益,將能提前進入飛速增長的中國市場,在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補。無錫晶圓制造廠將加快ST在NAND閃存市場的前進步伐,同時還將為嵌入式系統(tǒng)廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。
兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式,工廠占地面積550,000平方米,無塵潔凈室達到20,000平方米,8英寸和12英寸生產(chǎn)線分別于2006年7月和10月開始量產(chǎn)。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工藝,90nm和110nm晶圓在8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn), 80nm晶圓在12英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。明年年中,兩條生產(chǎn)線除生產(chǎn)現(xiàn)有的DRAM外,還將開始生產(chǎn)工藝先進的NAND閃存。在產(chǎn)能方面,8英寸生產(chǎn)線預計月產(chǎn)晶圓 50,000片,12英寸生產(chǎn)線的月產(chǎn)量將達到18,000片晶圓。雙方將根據(jù)市場情況分配產(chǎn)品和存儲器密度。
“無錫晶圓廠的建成將加快ST在NAND市場的前進步伐,并同時還將為嵌入式系統(tǒng)廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。” ST總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti指出,“雙方將在技術(shù)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補:ST將能夠獲得具有成本競爭力的DRAM產(chǎn)品,同時與Hynix合作開發(fā)NAND產(chǎn)品將進一步加強我們在封裝級集成市場的領(lǐng)先地位——在同一個封裝內(nèi)疊裝多個存儲器芯片。利用這項技術(shù),不僅可以提高存儲器的密度以及設(shè)備的可靠性,同時還能大大節(jié)省手機等消費電子以及工業(yè)應(yīng)用的電路板空間?!?
新工廠將有助于擴大Hynix的12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能,加強其在全球增長速度最快的中國半導體市場上的領(lǐng)先地位。Hynix的DRAM目前在中國的銷售量居第一位,據(jù)最新的iSupply資料顯示,市場份額約為47%。
“如何滿足中國市場的巨大需求一直是我們考慮的重點,在當?shù)亟⒐S是解決問題的關(guān)鍵?!?Hynix半導體公司董事長兼首席執(zhí)行官禹義濟表示,“今后,Hynix在中國市場銷售的存儲器將主要在無錫制造。”他還指出,由于無錫是自由出口加工區(qū),新工廠還會作為除了美國尤金的另外一個全球制造基地。至此,Hynix的全球布局已增加到5處。而除了無錫工廠,臺灣茂德科技以及位于韓國利川工廠也都有一條12英寸的生產(chǎn)線。毫無疑問,這將有助于擴大Hynix在12英寸生產(chǎn)線上的產(chǎn)能,進一步確立其在中國市場的領(lǐng)導地位。
“無錫工廠剛剛竣工,我們首要的任務(wù)是實現(xiàn)穩(wěn)定的產(chǎn)量和產(chǎn)品合格率。至于有無擴大投資的計劃,我們將會根據(jù)具體需求在必要時同ST通過協(xié)議或者談判來決定?!庇砹x濟說。
Hynix-ST還創(chuàng)造了同類工廠建設(shè)工期最短的紀錄。據(jù)稱,一般情況下晶圓項目的工廠建設(shè)至少需要兩年左右的時間。禹義濟透露:“我們確實遇到了很多困難,曾經(jīng)一度還出現(xiàn)建設(shè)滯后于計劃的現(xiàn)象。但是在各方合作伙伴的積極配合下,整個工期僅花費了一年多的時間?!?/TD> | |
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