松下電工有限公司與瑞薩科技日前宣布，兩家公司已開始全面測試45nm系統(tǒng)芯片（SoC）半導(dǎo)體制造工藝。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑（NA）和氬氟化物（ArF）浸入式微影系統(tǒng)進(jìn)行的全面整合。

預(yù)期目前的聯(lián)合開發(fā)項目將在2007年6月完成，開始投入量產(chǎn)的時間是2008財年。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進(jìn)移動產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級芯片。除了先進(jìn)級的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計劃在開發(fā)項目中采用其它新技術(shù)，包括引入應(yīng)力的高遷移率晶體管和ELK（K = 2.4）多層布線模塊。