內存將是SoC芯片中最佳“難”配角

長久以來對于一些全球邏輯IC廠大商來說，無論是繪圖芯片廠商、數字訊號處理(DSP)廠或是基頻處理器(Baseband)公司來說，這些邏輯IC廠商過去所制造芯片中，內部均已包含了6T內存芯片組，由于過去終端商品體積偏大，因此將6T內存芯片與邏輯IC綁在一起，成為一顆標準SoC產品時，對邏輯IC廠商來說，并不會有什么困難

但受到未來終端商品對體積上的要求愈來愈「輕、薄、短、小」，相對內存體積也愈來愈被要求盡可能縮小，這樣一來，對于為過去向來已習慣用6T內存包進邏輯IC的邏輯IC廠便形成技術瓶頸，原因在于邏輯IC廠根本不知道如何將體積大幅縮小的內存包進邏輯IC芯片中，因此必須將其交給先進晶圓代工廠代工。

晶圓代工廠非投入嵌入式內存代工不可

近來晶圓代工大廠之所以會一股腦在嵌入式內存工藝中大量投入資金與人力，原因在于不這樣做，未來想要再繼續(xù)接到國際IDM大廠或IC設計公司訂單機會恐將愈來愈小，基本來說，晶圓代工廠要生存下去，投入嵌入式內存工藝已是刻不容緩的事。

晶圓代工廠過去所思考的僅是如何以最穩(wěn)定工藝，最高的產出良率，以及最優(yōu)惠的價格來吸引IDM廠或IC設計公司訂單，但由于嵌入式內存工藝已成為未來整個半導體市場主流趨勢，晶圓代工廠所面臨到的，便是一些傳統(tǒng)內存大廠如三星電子(SamsungElectronics)、美光(Micron)、海力士(Hynix)、奇夢達(Qimonda)等原本就已專注在內存產業(yè)DRAM廠商。

換言之，這些DRAM廠也體認到自家原本的8英寸廠除了一些可繼續(xù)制造特殊型內存、NANDFlash或NORFlash外，將觸角延伸進嵌入式內存工藝領域也是消耗產能，擴展營收的另一條路。

因此，未來DRAM廠與晶圓代工廠互搶訂單局面將會屢見不鮮，簡單來說，臺積電、聯電不做的話，后面的DRAM廠可說是一缸子人搶著做。

術業(yè)有專攻內存市場三分天下

未來內存市場大約可區(qū)分為3大類，且由3不同半導體產業(yè)廠商各司其職，一則是由專業(yè)晶圓代工廠臺積電、聯電、NEC等這些廠商主導，其主導的市場主要在嵌入式內存工藝部分，而目前看來這些晶圓代工廠所能掌握的市場，是鎖定在SoC芯片內部所包含的內存容量在16Mb以下者，這部分是晶圓代工廠較有機會掌握的。

根據英特爾內部規(guī)劃進度來看，旗下所生產的中央處理器至2008年，工藝技術推進到45納米工藝技術時，中央處理器內部將會包含16MbSRAM，屆時英特爾中央處理器總出貨量中便有高達70%會采用嵌入式內存技術。

至于專業(yè)的內存設計廠商則會鎖定在嵌入式內存市場中，容量在16Mb以上部分，這對于晶圓代工廠來說并不擅長，晶圓代工廠長項在EmbeddedRAMOnChip，至于內存設計業(yè)者則是專注在EmbeddedRAMByDie。

晶圓代工廠與內存設計業(yè)者未來在嵌入式內存市場最大區(qū)別在于，晶圓代工廠就好比一家飯店，除了可以提供一般的住宿服務外，在同一地點上面為了客戶的便利性，也順便提供了餐飲服務，將餐廳建立在客房的下面，客戶要吃飯時只需下樓點餐便可。

但事實上部分住宿客戶并不希望住在有提供住宿以及餐飲服務飯店中，而這時內存設計廠就好比一家可提供外送服務的快餐店，隨時隨地提供餐飲到飯店里，且提供的餐飲內容更為豐盛。

至于未來內存市場中另一要角便是DRAM廠，這些廠商基本上還是會全力專注在大量化的內存市場，如標準型DRAM、NANDFlash、甚至是繪圖內存等，由于這部分需要大量產能，才足以降低生產成本，而這種事情對于晶圓代工廠、內存設計廠而言根本是沒辦法進入。

因此未來可說內存市場已確立朝三分天下方向邁進。

晶圓代工廠唯有培養(yǎng)自己人官司夢魘才能遠離

2007年第3季度末，UniRAM跳出來指控臺積電不當使用其營業(yè)秘密的案件，而造成這樣結果最主要在于伴隨著臺積電擴大在嵌入式閃存、嵌入式DRAM市場占有率，一些內存相關IP的廠商，或是相關領域的業(yè)者對臺積電進行指控機會也將會愈來愈多，而要擺脫這樣的陰影，最重要還是要培養(yǎng)自己人。

這也就是為何數年前臺積電要與創(chuàng)意電子合作主要原因，當時臺積電便已知道未來嵌入式內存工藝已是晶圓代工產業(yè)必走之路，但當中勢必也會有人跳出來阻礙，同樣的聯電培養(yǎng)智原為的也是希望將來能在嵌入式內存市場中站穩(wěn)腳步。

除此之外聯電更積極的在日前宣布與爾必達合作，聯電低介電質銅導線技術獲得爾必達青睞，便是希望聯電與爾必達雙方可提供更加優(yōu)異的嵌入式系統(tǒng)單芯片給所需要客戶，這也是聯電另一項培養(yǎng)自家人的做法。