由中國科學院微電子研究所（以下簡稱“中科院微電子所”）設計研發(fā)的絕緣柵控雙極晶體管（“Insulated Gate Bipolar Transistor ，簡稱IGBT”）系列產(chǎn)品于日前在華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微電子”）的工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達到設計要求，標志著華潤微電子擁有了國內第一條完整通過客戶產(chǎn)品設計驗證的IGBT工藝線，雙方正密切合作以進一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)進程，以協(xié)助推進實現(xiàn)國內IGBT產(chǎn)業(yè)化的目標。

這次流片成功的產(chǎn)品采用Planar NPT器件結構，規(guī)格為15-43A /1200V。這個產(chǎn)品面向家用電器應用領域，目前正由國內著名的家電企業(yè)客戶試用評估。

華潤微電子有限公司長期以來提倡產(chǎn)學研合作的模式，與國內著名科研院所及大學在新型電力電子器件方面的技術合作由來已久。在此IGBT項目合作前，雙方曾聯(lián)合電子科技大學申請并成功獲得了國家新型電力電子項目的支持。在IGBT項目得到階段性成果之時，雙方將繼續(xù)發(fā)揮各自的優(yōu)勢，進一步在包括IGBT等方面的節(jié)能降耗領域展開密切的合作。

根據(jù)國內權威的市場調查機構資料，2009年中國IGBT的市場規(guī)模達38.2億人民幣，預期2010年中國IGBT市場規(guī)模為41.4億元人民幣，較2009年成長8.4%。到2011年與2012年分別達45.3與50.6億元人民幣，增長率分別為9.4%與11.7% 。更有半導體機構預測IGBT在2010年在中國的成長將達到25%以上。面對強大的市場需求，中國目前還沒有一條完整的IGBT生產(chǎn)線可以提供終端客戶使用，因此必須依賴進口。

IGBT由雙極型晶體管（簡稱“BJT”）和絕緣柵型場效應晶體管（簡稱“MOSFET”）相結合的電壓驅動式功率半導體器件。既有功率MOSFET 輸入阻抗高，控制功率小，易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點，又有雙極晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點。在提倡節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟的時代，具備節(jié)能效率高，便于規(guī)?；a(chǎn)，較易實現(xiàn)節(jié)能智慧化等優(yōu)點的IGBT已成為功率半導體市場發(fā)展的主流技術。IGBT主要用在家電產(chǎn)品、工業(yè)控制、網(wǎng)絡通、照明、消費電子、計算機及汽車電子等，而智能電網(wǎng)、高速鐵路、新能源汽車為IGBT開辟了更加廣泛的應用市場。