經(jīng)過近一年的推進(jìn)工作，美國羅格斯大學(xué)趙建輝教授的第三代半導(dǎo)體碳化硅（ＳｉＣ）外延及器件產(chǎn)業(yè)化項目，目前已確定落戶中關(guān)村海淀園。

該項目中試及初期生產(chǎn)場地最終確定在海淀東升科技園，目前已簽訂租賃協(xié)議。該項目致力于開拓第三代半導(dǎo)體碳化硅的全球市場，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)群，形成中國的“碳化硅谷”。