11月初，工信部公布了TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)的進(jìn)展，并表示即將于年底開始的TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)第二階段將在終端環(huán)節(jié)推進(jìn)TD-LTE多模終端的研發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)于TD-LTE多模終端的消息一時(shí)迅速增多。

對(duì)3GPP R9協(xié)議的功能性能驗(yàn)證，也成為TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)第二階段的重點(diǎn)。據(jù)悉，在設(shè)備方面，國(guó)內(nèi)大部分TD-LTE廠商已推出支持R9版本的TD-LTE設(shè)備，國(guó)際企業(yè)近期也在積極行動(dòng)。而在終端方面，支持R9協(xié)議的品牌還并不多。其中，華為(微博)近期推出了全球首款基于3GPP R9協(xié)議的TD-LTE多模終端芯片，打響了R9版本的多模終端第一炮。

四廠商年底推多模終端

11月21日，工信部電信研究院院長(zhǎng)曹淑敏在業(yè)內(nèi)會(huì)議上又提到了TD-LTE終端測(cè)試的最新進(jìn)展，即目前10家TD-LTE芯片廠商中的海思、創(chuàng)毅視訊、高通、Altair、中興微電子和Sequans等6家已完成了技術(shù)試驗(yàn)的測(cè)試，而聯(lián)芯科技、展訊、重郵信科、意法愛立信(微博)正在加緊技術(shù)測(cè)試。

此前，參與TD-LTE技術(shù)測(cè)試和第一階段規(guī)模試驗(yàn)的終端以單模方案為主，工信部和中國(guó)移動(dòng)(微博)在TD-LTE第二階段規(guī)模測(cè)試中明確提出了多模要求。據(jù)工信部電信研究院沈嘉稱，TD-LTE除了本身新技術(shù)特征之外還有一個(gè)很大特色，是要與2G、3G系統(tǒng)共存，聯(lián)合發(fā)展，為了推進(jìn)TD-LTE芯片和終端在現(xiàn)有網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用，支持TD-SCDMA和GSM的TD-LTE多模終端方案已被列入下一步TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)中。從穩(wěn)步推進(jìn)的角度考慮，TD-LTE多模方案分為雙芯片雙待、單芯片雙待、單芯片單待等不同階段。

據(jù)悉，目前已有四家終端廠商表示將在今年年底提供多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機(jī)。

雙芯片雙待成為多模初期方案

對(duì)于選擇雙芯片雙待的方式作為TD-LTE多模終端的引入方案，工信部TD-LTE工作組做了多方面考慮。據(jù)沈嘉解釋，終端的芯片要實(shí)現(xiàn)對(duì)多模的支持，并且要支持單待機(jī)，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)上是比較復(fù)雜的。所以TD-LTE試驗(yàn)中引入多模終端將從雙芯片多待的方式開始，即一個(gè)LTE單模芯片TD-SCDMA/GSM商用芯片，組合形成雙芯片多模終端。

對(duì)此，多家終端廠商在雙芯片多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機(jī)已開始積極布局，將為L(zhǎng)TE的應(yīng)用起到示范作用。

據(jù)稱，TD-LTE多模終端的單待機(jī)和雙待機(jī)方案各有優(yōu)劣，單待機(jī)方案在終端側(cè)這一角度上可以體現(xiàn)更優(yōu)的性能，減少終端的耗電，但單待方案的不足之處在于，LTE在短期內(nèi)不會(huì)支持語音，當(dāng)語音業(yè)務(wù)和數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)并發(fā)的時(shí)候，或者在進(jìn)行數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)的時(shí)候發(fā)生語音呼叫，TD-LTE終端就會(huì)涉及從LTE模式轉(zhuǎn)移到3G模式的問題，需要克服不同技術(shù)下算法協(xié)議不同、延時(shí)等問題。所以TD-LTE多模終端初期會(huì)采用雙芯片雙待這樣盡管在性能上并不是最優(yōu)的，但更容易實(shí)現(xiàn)、在二階段規(guī)模測(cè)試和試商用初期更為穩(wěn)妥的方式。

沈嘉表示，長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，TD-LTE多模終端還是本著單芯片單待的方向分步推進(jìn)。“實(shí)現(xiàn)單芯片單待，芯片在工藝上需要提高，即采用40nm工藝，支持至少TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模。目前已有7家芯片將在明年提供單芯片多模終端，其他芯片廠商計(jì)劃在2012年底或2013年推出相應(yīng)產(chǎn)品?！?BR>
據(jù)悉，TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)即將在今年年底和明年上半年對(duì)雙芯片多模終端進(jìn)行規(guī)模測(cè)試，明年下半年和后年將有望進(jìn)行單芯片雙待、單芯片單待終端的測(cè)試。

單芯片成熟度是關(guān)鍵

在這一大趨勢(shì)下，芯片企業(yè)似乎都加快了單芯片多模方案的研發(fā)和測(cè)試。據(jù)沈嘉稱，除了40nm工藝，單芯片多模方案還面臨一些技術(shù)挑戰(zhàn)，例如在一個(gè)芯片里實(shí)現(xiàn)不同網(wǎng)絡(luò)的靈活切換，就需要支持不同協(xié)議間的交互、協(xié)調(diào)算法問題。單芯片雙待方案還需要同時(shí)支持一個(gè)終端對(duì)兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)信號(hào)的同時(shí)接收發(fā)送，這對(duì)能耗指標(biāo)也提出了挑戰(zhàn)。未來的TD-LTE單芯片單待方案，還要克服數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和語音網(wǎng)絡(luò)間的切換等問題，保障呼叫延時(shí)最小化和呼叫成功率更高，這都要芯片終端企業(yè)以及設(shè)備商聯(lián)手努力解決。

根據(jù)工信部TD-LTE工作組的預(yù)測(cè)，多模數(shù)據(jù)卡、多模雙待手機(jī)、多模單待手機(jī)將分階段達(dá)到可商用水平。目前基于雙芯片的多模數(shù)據(jù)卡，在年底前有望實(shí)現(xiàn)商用水準(zhǔn)，基于單芯片的多模數(shù)據(jù)卡將在明年陸續(xù)推出并具備商用能力。沈嘉表示，TD-LTE多模終端的逐步成熟取決于單芯片技術(shù)的成熟度，總體來看，手機(jī)的成熟速度滯后于數(shù)據(jù)卡。