Toshiba Q1贏利為何能創(chuàng)下5年新高?
東芝半導(dǎo)體事業(yè)涵蓋存儲器、系統(tǒng)LSI (Large Scale IC)及離散元件(Discrete) 3項(xiàng)產(chǎn)品線。2012年第1季東芝以NAND型快閃存儲器(NAND Flash)為主要產(chǎn)品的存儲器營收回升至2010年第1季以來僅次于2011年第1季(1,629億日圓)的次高水平,達(dá)1,562億日圓,表現(xiàn)相對優(yōu)于以模擬/影像IC為主的系統(tǒng)LSI,及以功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品為主的離散元件。
2012年第1季東芝雖NAND Flash營益率小幅下滑至12%,但仍為半導(dǎo)體3大產(chǎn)品線最高者,因東芝來自存儲器營收顯著成長,且占其半導(dǎo)體事業(yè)營收比重為2010年第1季以來首次逾6成,在產(chǎn)品組合改善下,有利東芝半導(dǎo)體事業(yè)營益率自2011年第4季0.9%回升至2012年第1季6.1%。
2011日本會計(jì)年度(以下簡稱年度,即2011年4月至2012年3月)東芝因3大半導(dǎo)體產(chǎn)品營收均較2010年度衰退,其半導(dǎo)體事業(yè)營收較2010年度衰退14%,為9,802億日圓,東芝預(yù)測2012年度半導(dǎo)體事業(yè)營收將為1.08兆日圓,且將以營業(yè)利益870億日圓與營益率8.1%為目標(biāo)。
依東芝預(yù)測2012年度半導(dǎo)體事業(yè)產(chǎn)品別營收觀察,存儲器將為5,800億日圓,將僅次于2010年度水平,且將較2011年度成長5.6%,而系統(tǒng)LSI與離散元件將分別為3,000億日圓與2,000億日圓,均可望步出2011年度營收谷底,年成長率將分別為14.3%與18.9%。
東芝因存儲器獲利能力優(yōu)于系統(tǒng)LSI與離散元件,將以2012年度NAND Flash營益率達(dá)15%為目標(biāo),并盡早達(dá)成系統(tǒng)LSI與離散元件轉(zhuǎn)虧為盈,該公司預(yù)測2012年度存儲器占其半導(dǎo)體事業(yè)營收比重將連續(xù)第3年逾5成,意味東芝將以改善產(chǎn)品組合為重點(diǎn),以朝2012年度半導(dǎo)體事業(yè)營益率8.1%目標(biāo)邁進(jìn)。
1Q’10~1Q’12東芝半導(dǎo)體事業(yè)營業(yè)利益與營益率變化

資料來源:東芝,DIGITIMES整理,2012/5