中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際"，紐約證券交易所：SMI，香港聯(lián)合交易所：981)和國際領先的IC設計公司及一站式服務供應商 -- 燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱"燦芯半導體")日前宣布采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM(R) Cortex(TM)-A9 MPCore(TM)雙核芯片測試結果達到1.3GHz。
該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON(TM)、調試和追蹤的ARM CoreSight(TM)等等， 另外還透過AMBA(R) AXI總線集成了內建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速標準單元庫以外，該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫(SMIC Performance Enhancement Kit)以提高性能。
中芯國際首席商務長季克非表示："燦芯半導體在短短幾個月內，就能達成此預定目標，證明了燦芯半導體在技術上與國際先進水平相當，同時也證明了中芯國際工藝的穩(wěn)定度和市場領導地位。我們三方共同合作提供的40LL綜合平臺，不僅能縮短客戶產品的上市周期，而且可以減低客戶在先進技術設計上開發(fā)的風險。今天，這個里程碑式的合作再次證明了我們竭誠為客戶提供行業(yè)領先技術的決心。 中芯國際將繼續(xù)加強先進工藝技術的開發(fā)，為高性能的消費類電子產品提供極具競爭力的解決方案。"
燦芯半導體總裁兼首席執(zhí)行官職春星博士指出："ARM Cortex-A9雙核測試芯片的實測結果達到了我們的預期目標，這證明燦芯半導體在技術上完全有實力達到目前業(yè)界需求。此外，我們很快將在同一工藝上開始下一顆A9測試芯片的流片，而這顆芯片將達到更高的性能。燦芯半導體致力于為客戶提供最先進的平臺和解決方案，我們也一直在朝這個目標努力，相信在中芯國際、ARM以及其他合作伙伴的支持下，必將實現(xiàn)我們的目標，為客戶帶來巨大價值!"
ARM中國區(qū)總裁吳雄昂說："來自燦芯半導體、中芯國際和ARM持續(xù)不斷的緊密合作所達成的里程碑是產業(yè)絕佳范例，展示出我們如何共同合作推陳出新，推動下一代智能連網(wǎng)設備的核心技術!ARM相當重視與燦芯半導體及中芯國際的合作關系，并承諾將通過基于ARM架構的技術，為我們共同的客戶提供最先進的設計與生產平臺，進而符合他們在功耗、性能與上市周期的需求。"