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[導(dǎo)讀]中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心致力于以器件小型化為基礎(chǔ)的CMOS先導(dǎo)工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)的研發(fā)工作,目前中心已經(jīng)形成了包括中芯國(guó)際、北大、清華、復(fù)旦等單位在內(nèi)的集成電路工藝的研發(fā)

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心致力于以器件小型化為基礎(chǔ)的CMOS先導(dǎo)工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)的研發(fā)工作,目前中心已經(jīng)形成了包括中芯國(guó)際、北大、清華、復(fù)旦等單位在內(nèi)的集成電路工藝的研發(fā)聯(lián)盟。研發(fā)中心大量采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料,并與國(guó)產(chǎn)設(shè)備商一起對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證和工藝開(kāi)發(fā)工作,使中心的研發(fā)平臺(tái)成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備商共同的試驗(yàn)場(chǎng)和展示平臺(tái),近3年來(lái),中心已完成專利申請(qǐng)700多項(xiàng),其中200多項(xiàng)國(guó)際專利。

目前,集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心開(kāi)發(fā)出的特色工藝包括可實(shí)現(xiàn)22納米及以下技術(shù)代圖形化的電子束光刻(E-beam)及刻蝕技術(shù);可獲得硅深孔(TSV)的刻蝕工藝;可對(duì)高K/金屬柵材料進(jìn)行原子級(jí)可控生長(zhǎng)的原子層薄膜淀積(ALD)工藝;可增加溝道遷移率的外延純鍺、硅鍺(SiGe)工藝;可獲得超淺結(jié)的超低能離子注入和納秒級(jí)激光退火(Laser anneal)工藝;可完成晶圓凸起圖形全局平坦化的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝等。與此同時(shí),為了滿足國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備發(fā)展的生產(chǎn)需求,中心的研發(fā)線采用準(zhǔn)工業(yè)化的管理模式,并且實(shí)現(xiàn)了對(duì)設(shè)備狀態(tài)、工藝流程以及物料進(jìn)出庫(kù)的全程電子化管理,使得研發(fā)周期縮短到接近工業(yè)界的先進(jìn)水平。

集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心主任趙超表示:“未來(lái)時(shí)間內(nèi),研發(fā)中心將以‘兩條腿’走路的方式,一方面繼續(xù)承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)、863和973等項(xiàng)目的研究和開(kāi)發(fā);另一方面,中心將重點(diǎn)針對(duì)工業(yè)界急需的生產(chǎn)工藝,提供客制化的技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)和小批量高附加值產(chǎn)品的研制,努力推動(dòng)國(guó)內(nèi)IC領(lǐng)域中小企業(yè)的在生產(chǎn)工藝上的創(chuàng)新。”

據(jù)介紹,目前研發(fā)中心的對(duì)外服務(wù)采用研發(fā)代工的模式,即自身不從事產(chǎn)品的經(jīng)營(yíng)活動(dòng),其研發(fā)成果按照與客戶達(dá)成的協(xié)議全部轉(zhuǎn)移給客戶,技術(shù)服務(wù)內(nèi)容包括:專利技術(shù)轉(zhuǎn)讓;CMOS、MEMS全流程流片、工藝模塊或單步工藝研發(fā)、小批量高附加值產(chǎn)品加工;IC工藝設(shè)備和耗材驗(yàn)證;工程師技術(shù)培訓(xùn);技術(shù)咨詢等等。

IIC-China 2013:<strong>中科院</strong>微電子研究所提供客制化工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心博士研究員趙超

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