中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心致力于以器件小型化為基礎(chǔ)的CMOS先導(dǎo)工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)的研發(fā)工作，目前中心已經(jīng)形成了包括中芯國(guó)際、北大、清華、復(fù)旦等單位在內(nèi)的集成電路工藝的研發(fā)聯(lián)盟。研發(fā)中心大量采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料，并與國(guó)產(chǎn)設(shè)備商一起對(duì)機(jī)臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證和工藝開(kāi)發(fā)工作，使中心的研發(fā)平臺(tái)成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備商共同的試驗(yàn)場(chǎng)和展示平臺(tái)，近3年來(lái)，中心已完成專利申請(qǐng)700多項(xiàng)，其中200多項(xiàng)國(guó)際專利。

目前，集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心開(kāi)發(fā)出的特色工藝包括可實(shí)現(xiàn)22納米及以下技術(shù)代圖形化的電子束光刻（E-beam）及刻蝕技術(shù)；可獲得硅深孔（TSV）的刻蝕工藝；可對(duì)高K/金屬柵材料進(jìn)行原子級(jí)可控生長(zhǎng)的原子層薄膜淀積（ALD）工藝；可增加溝道遷移率的外延純鍺、硅鍺（SiGe）工藝；可獲得超淺結(jié)的超低能離子注入和納秒級(jí)激光退火（Laser anneal）工藝；可完成晶圓凸起圖形全局平坦化的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝等。與此同時(shí)，為了滿足國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備發(fā)展的生產(chǎn)需求，中心的研發(fā)線采用準(zhǔn)工業(yè)化的管理模式，并且實(shí)現(xiàn)了對(duì)設(shè)備狀態(tài)、工藝流程以及物料進(jìn)出庫(kù)的全程電子化管理，使得研發(fā)周期縮短到接近工業(yè)界的先進(jìn)水平。

集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心主任趙超表示：“未來(lái)時(shí)間內(nèi)，研發(fā)中心將以‘兩條腿’走路的方式，一方面繼續(xù)承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)、863和973等項(xiàng)目的研究和開(kāi)發(fā)；另一方面，中心將重點(diǎn)針對(duì)工業(yè)界急需的生產(chǎn)工藝，提供客制化的技術(shù)開(kāi)發(fā)服務(wù)和小批量高附加值產(chǎn)品的研制，努力推動(dòng)國(guó)內(nèi)IC領(lǐng)域中小企業(yè)的在生產(chǎn)工藝上的創(chuàng)新。”

據(jù)介紹，目前研發(fā)中心的對(duì)外服務(wù)采用研發(fā)代工的模式，即自身不從事產(chǎn)品的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，其研發(fā)成果按照與客戶達(dá)成的協(xié)議全部轉(zhuǎn)移給客戶，技術(shù)服務(wù)內(nèi)容包括：專利技術(shù)轉(zhuǎn)讓；CMOS、MEMS全流程流片、工藝模塊或單步工藝研發(fā)、小批量高附加值產(chǎn)品加工；IC工藝設(shè)備和耗材驗(yàn)證；工程師技術(shù)培訓(xùn)；技術(shù)咨詢等等。

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心博士研究員趙超