21ic電子網(wǎng)訊，華為自家的SoC一直都非常有特色，海思K3V2四核處理器是2012年初業(yè)界Die Size（芯片面積）最小的四核處理器，而在新一代K3V3身上，華為打算引入更多更有意思的技術(shù)。

今日，據(jù)知情人士透露，華為海思八核已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，代號(hào)正是K3V3，它如之前的傳言一樣采用了ARM Cortex A15架構(gòu)，而這顆芯片在解決手機(jī)散熱上取得重大突破——為了讓K3V3八核CPU在高頻率運(yùn)行時(shí)同時(shí)保持低溫，華為2013研究院創(chuàng)新設(shè)計(jì)一種熱能轉(zhuǎn)化電能的充電芯片，這個(gè)充電芯片是由一個(gè)發(fā)電板和一個(gè)控制器組成，發(fā)電板里是納米級(jí)的熱磁顆粒。

當(dāng)CPU的溫度高于某一值時(shí)，這些顆粒受熱后就會(huì)振蕩產(chǎn)生電流，自動(dòng)啟動(dòng)充電芯片，給電池進(jìn)行充電，既降低了CPU溫度，又增強(qiáng)了手機(jī)的續(xù)航能力。不過(guò)，目前熱電的轉(zhuǎn)換效率還不高，低于15%，因此不要指望它能給你帶來(lái)多大的續(xù)航時(shí)間增幅。

據(jù)悉，海思K3V3八核處理器主頻為1.8GHz，GPU依然沿用了ARM官方的Mali系列，K3V3使用28nm工藝制造，目前尚不清楚具體的代工廠（臺(tái)灣媒體估計(jì)，這款K3V3芯片仍將交給臺(tái)積電代工制造）。

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