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GLOBALFOUNDRIES詳細(xì)介紹22納米及更小尺寸的先進(jìn)技術(shù)

時(shí)間：2009-06-18 10:00:00

關(guān)鍵字： GLOBALFOUNDRIES IBM 節(jié)點(diǎn) 晶體管

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[導(dǎo)讀]GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵（HKMG）晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強(qiáng)計(jì)算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動設(shè)備推進(jìn)了一步。眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)一

GLOBALFOUNDRIES日前介紹了一種創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可以克服推進(jìn)高 k金屬柵（HKMG）晶體管的一個(gè)主要障礙，從而將該行業(yè)向具有更強(qiáng)計(jì)算能力和大大延長的電池使用壽命的下一代移動設(shè)備推進(jìn)了一步。

眾所周知，半導(dǎo)體行業(yè)一直致力于克服似乎難以逾越的困難，以延續(xù)更小、更快、更節(jié)能的產(chǎn)品趨勢。研究是通過GLOBALFOUNDRIES參與IBM技術(shù)聯(lián)盟來與IBM合作的形式進(jìn)行的，旨在繼續(xù)將半導(dǎo)體元件的尺寸縮小到22納米節(jié)點(diǎn)及更小尺寸。

在2009年于日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高k金屬柵（HKMG）晶體管的等效氧化層厚度（EOT）縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于22納米節(jié)點(diǎn)所需水平，同時(shí)保持了低漏電、低閾值電壓和優(yōu)越的載流子遷移率等優(yōu)點(diǎn)的技術(shù)。

GLOBALFOUNDRIES技術(shù)與研發(fā)高級副總裁Gregg Bartlett說：“HKMG是GLOBALFOUNDRIES技術(shù)路線圖的關(guān)鍵組成部分。這種進(jìn)展可能最終為客戶提供另一種提高其產(chǎn)品性能的工具，尤其是在快速增長的具有長電池壽命的超便攜筆記本電腦和智能手機(jī)市場。通過與IBM及聯(lián)盟伙伴的合作，我們利用我們的全球知識庫開發(fā)先進(jìn)的技術(shù)，幫助我們的客戶處于半導(dǎo)體制造的前沿?！?/p>

為了保持HKMG晶體管的開關(guān)精度，必須減少高k氧化層的等效氧化層厚度。然而，減少EOT會增加泄漏電流，從而增加微芯片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已經(jīng)開發(fā)出一種可克服這一障礙的新技術(shù)，首次展示了將EOT縮小到遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于22納米節(jié)點(diǎn)，同時(shí)保持所需的漏電流、閾值電壓和載流子遷移率是可以實(shí)現(xiàn)的。通過使用0.55nm的EOT制造n-MOSFET器件和0.7nm的EOT制造p-MOSFET期間，結(jié)果得到了成功的展示。

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