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隨著半導體行業(yè)開始向下一代技術節(jié)點過渡，GLOBALFOUNDRIES有望占據(jù)代工技術領先者的地位。10月1日，在加利福尼亞州圣克拉拉市舉辦的全球半導體聯(lián)盟新機遇會展(Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference)上，GLOBALFOUNDRIES（321號展位）將提供有關其32nm/28nm技術路線圖，以及基于高 k金屬柵極（HKMG）技術是“柵極優(yōu)先”的創(chuàng)新晶體管制造方案的最新細節(jié)。

iSuppli公司主管兼首席分析師Len Jelinek說：“對于每一代新技術，半導體代工商正日益受到維持研發(fā)的經(jīng)濟狀況、以及將這些技術大規(guī)模推向市場所需技能的挑戰(zhàn)。憑借快速提升的、可以較高良率量產的領先技術，加上積極的產能和技術投資，GLOBALFOUNDRIES正處于挑戰(zhàn)下一代晶片代工領先地位的獨特有利形勢?！?/p>

GLOBALFOUNDRIES預計2010年下半年在一廠開始32nm-SHP （超高性能）技術的批量生產。該技術將采用硅絕緣體（SOI）襯底，并利用GLOBALFOUNDRIES的創(chuàng)新“柵極優(yōu)先”HKMG方案。與其他的“柵極最后”方案相比，“柵極優(yōu)先”的HKMG方案可盡量提高功率效率，盡量縮小晶體管尺寸，同時盡量減少芯片尺寸和設計復雜性。24Mb SRAM的良率繼續(xù)以兩位數(shù)字增長，今年年底有望達到百分之五十的自然良率。

GLOBALFOUNDRIES一廠高級副總裁兼總經(jīng)理Jim Doran表示：“與目前我們在一廠使用的45納米技術相比，32納米技術的性能將提高達百分之五十，同時具有與45納米技術相同的漏電流水平。當把這與我們獲得專利的自動化精確生產（APM）技術，以及極低的產品缺陷密度相結合，我們相信，在為我們的客戶將該技術批量推向市場方面，我們將在代工商中處于領先地位。”

作為一家新加入代工行業(yè)的企業(yè)，GLOBALFOUNDRIES帶來了領先的高性能處理器生產技術。在向45納米這代技術過渡時，GLOBALFOUNDRIES比其他代工企業(yè)提前2到3個季度實現(xiàn)了具有成熟收益率的批量生產，同時比所有其他半導體制造商提前實施了復雜的光刻新技術（浸沒式光刻技術）。

對于將用于大塊硅襯底的28nm這一代技術，該公司的低成本設計原型設計穿梭服務（shuttle service）將于2010年第1季度接受客戶和第三方IP設計，并計劃2010年下半年開始生產。28nm技術提供了目前代工行業(yè)報告的最小的SRAM單元尺寸（0.12平方微米），以及相對于28nm“柵極最后”方案的芯片尺寸優(yōu)勢。此外，對于使用傳統(tǒng)的基于多晶硅/氮氧化硅技術的5/40nm和32nm的客戶，由于具有類似的工藝流程和設計規(guī)則，GLOBALFOUNDRIES的“柵極優(yōu)先”的HKMG方案簡化了28nm設計的實施以及IP重用。

處于28nm節(jié)點的客戶將受益于32nm節(jié)點的領先技術的大批量應用，當28nm技術生產開始后，這將使GLOBALFOUNDRIES進入第二代的HKMG實施。28nm節(jié)點將有兩種不同形式：28nm-HP（高性能）形式，該形式將進行優(yōu)化以用于諸如圖形、游戲機、存儲、網(wǎng)絡和媒體編碼等領先應用；28nm-SLP（超低功率）形式，該形式將進行優(yōu)化以用于諸如基帶、應用處理器以及其它手持功能等需要較長電池壽命的無線移動應用。

GLOBALFOUNDRIES的采用“柵極優(yōu)先”的HKMG加工方案的32nm和28nm技術，最初是在參加IBM技術聯(lián)盟時與IBM合作開發(fā)的。2007年，IBM及其研究伙伴首先推出作為長期努力的晶體管改進基礎的“柵極優(yōu)先”HKMG創(chuàng)新，以處理45nm節(jié)點出現(xiàn)的漏電問題。