前不久，Intel、美光合資閃存制造企業(yè) IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已經(jīng)開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進行參觀。


位于雪山腳下的IMFT工廠


工廠結(jié)構(gòu)圖

工廠結(jié)構(gòu)，制造半導體產(chǎn)品最關(guān)鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設備維護工作則在二層的SubFab層完成。


進入工廠的準備工作

進入無塵室之前的打包過程。（由于無塵室內(nèi)部的嚴格要求，實際上以下內(nèi)部照片均來自IMFT官方）


無塵工廠內(nèi)部

晶圓廠內(nèi)走廊，頂端的自動運輸系統(tǒng)（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個制造環(huán)節(jié)間運輸，24小時不停歇。每個運載器都搭載了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。

廠內(nèi)地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。


FOUP片盒掛接在一個制造階段設備上，后面的那個正在被AMHS吊起。





幾乎所有制造過程均為自動完成，因此廠內(nèi)大部分工人的工作就是保證這些設備正常運行。