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[導(dǎo)讀]連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5,此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑,共達(dá)5層樓,建筑面積約38,000平方米,使用面積約187,000平方米

連于慧 NAND Flash大廠東芝(Toshiba)和快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk) 于日本三重縣四日市合資新12吋晶圓廠Fab 5,此座新廠是采用2層式鋼結(jié)構(gòu)混凝土建筑,共達(dá)5層樓,建筑面積約38,000平方米,使用面積約187,000平方米,于2010年7月開始建設(shè),2011年7月新廠開始量產(chǎn)。

東芝四日市生產(chǎn)基地成立于1992年,總經(jīng)理為Koji Sato,截至2011年3月止 員工人數(shù)約4,400人(僅限東芝的正式員工),生產(chǎn)基地總占地面積約436,800平方米,總使用面積約647,000平方米。

東芝和新帝也在2010年9月合資成立新公司Flash Forward,東芝持股50.1%、SanDisk持股49.9%,東芝持股比重為50.1%,新帝為49.9%。

Fab 5新廠日前宣布投產(chǎn),預(yù)計(jì)第1批24奈米制程的晶片將于8月正式出貨,在制程技術(shù)上將持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)19奈米制程,且此座新廠是采用先進(jìn)的吸震結(jié)構(gòu),并且整合多項(xiàng)電力補(bǔ)償技術(shù),以防因意外造成生產(chǎn)線中斷;再者,F(xiàn)ab 5也采用LED照明和節(jié)能型生產(chǎn)設(shè)備,將達(dá)成全廠二氧化碳排放量比現(xiàn)有Fab 4減少12%。目標(biāo);再者,通過1條晶圓運(yùn)輸系統(tǒng),F(xiàn)ab 5可與Fab 3和Fab 4連接在一起,提升生產(chǎn)制造的效率。

目前東芝和新帝位于四日市2座12吋晶圓廠相加,單月產(chǎn)能約35萬片,與? T星電子(Samsung Electronics) 旗下華城Line 12、器興Lien 14和美國(guó)奧斯汀廠等廠房相加的產(chǎn)能相當(dāng),三星和東芝下半年都有新產(chǎn)能加入,市占率消長(zhǎng)將受到市場(chǎng)關(guān)注。(連于慧)



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