GLOBALFOUNDRIES在美國紐約的“Fab 8”采用支持20nm工藝的TSV技術

時間：2012-05-07 07:22:00

關鍵字： GLOBALFOUNDRIES FAB 半導體 BORDER

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[導讀]【日經(jīng)BP社報道】美國GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美國時間）宣布，可在20nm工藝半導體晶圓上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生產(chǎn)設備，已開始在該公司位于美國紐約州薩拉托加郡（Saratoga）的生

【日經(jīng)BP社報道】美國GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美國時間）宣布，可在20nm工藝半導體晶圓上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生產(chǎn)設備，已開始在該公司位于美國紐約州薩拉托加郡（Saratoga）的生產(chǎn)線“Fab 8”上采用（英文發(fā)布資料）。據(jù)稱，利用TSV技術可對新一代移動產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品用的三維芯片實現(xiàn)積層。

TSV是將硅晶圓在垂直方向蝕刻，并埋入銅的技術。利用TSV技術可在積層的芯片間實現(xiàn)三維方向的信號傳遞。例如，可通過采用該技術在應用處理器上積層存儲器芯片，可在使存儲器數(shù)據(jù)傳輸速度飛躍提高的同時大幅降低耗電量，滿足智能手機和平板終端所要求的條件。

GLOBALFOUNDRIES公司首席技術官（CTO）Gregg Bartlett表示，“為了應對新的硅技術節(jié)點，我們很早就已開始與合作伙伴共同開發(fā)有望在業(yè)界催生下一波技術革新的全新封裝解決方案。我們的方案范圍廣且具有共同性，在可向用戶提供最大限度的選擇權(quán)和靈活性的同時，還能降低成本、縮短產(chǎn)品的市場投放時間、減小伴隨新技術開發(fā)的技術風險。通過在Fab 8采用20nm工藝TSV技術，我們將與涵蓋從設計到組裝以至測試整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司，建立共同開發(fā)及制造合作關系，由此可具備完全滿足新一代元件高端要求的能力”。

GLOBALFOUNDRIES公司的Fab 8是美國國內(nèi)規(guī)模最大的尖端代工工廠。瞄準的是32/28nm及以后工藝，目前正在推進開發(fā)20nm工藝。計劃從2012年第三季度開始制造采用TSV技術的首批硅芯片產(chǎn)品

Fab 8的外觀（2011年夏季的情況，摘自該公司的Web網(wǎng)站）
Fab 8的潔凈室（2011年夏季的情況，摘自該公司的Web網(wǎng)站