3D IC作為新興的半導(dǎo)體製程技術(shù)之一，已吸引許多關(guān)注的目光，但同時也引來許多的爭議。尤其是與SiP技術(shù)間的差異。對此，專精於晶片封裝的半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商Tessera提出了獨到的看法。

附圖 : Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell

SiP技術(shù)已普遍用在手機上

Tessera互連、元件與材料部門資深副總裁Craig Mitchell表示，在現(xiàn)今市場上，SiP技術(shù)已普遍用在手機上。尤其在智慧型手機中，可以找到兩到三個，甚至是四個SiP，因為這項技術(shù)已被廣泛地運用在藍(lán)牙、WiFi與GPS等無線技術(shù)上。此外，快閃記憶卡也可被視為SiP應(yīng)用的一種。隨著這些應(yīng)用的普及，每年約有數(shù)十億顆SiP晶片被製造並銷售到市面上。

單就手機市場的普遍應(yīng)用來看，Mitchell認(rèn)為SiP的基礎(chǔ)技術(shù)已相對成熟。然而，SiP應(yīng)被視為能夠不斷發(fā)展的工具套件，以符合特定應(yīng)用在尺寸、效能，或是價格需求。但他也指出，SiP技術(shù)仍存在許多挑戰(zhàn)，其中最主要的挑戰(zhàn)為訊號整合、功率分佈及散熱，尤其是在嘗試結(jié)合類比與數(shù)位科技時。同時，為了能更完整地發(fā)揮SiP技術(shù)的優(yōu)勢，設(shè)計與製模工具也需要被有效地改善。

3D IC是電子裝置持續(xù)微型化與整合的重要階段

至於3D IC技術(shù)，Mitchell表示，3D IC是電子裝置持續(xù)微型化與整合的下個重要階段。在整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，許多公司都在研發(fā)能符合該領(lǐng)域需求的技術(shù)，而矽穿孔（TSV）就是一項特殊的技術(shù)，並已引起市場的高度關(guān)注，許多公司也已推出適合量產(chǎn)的TSV技術(shù)。

SiP與3D IC是互補的技術(shù) 而非競爭

而對於SiP與3D IC之間的爭議，Mitchell則認(rèn)為，SiP與3D IC是互補的技術(shù)，而非相互競爭。他表示，這兩項技術(shù)在3D整合工具套件中，皆有相當(dāng)?shù)膬r值。相較於SiP技術(shù)在「晶片外（off-chip）」封裝所造成的延遲與互連密度限制，3D IC技術(shù)則是藉由提供裝置間虛擬的「晶片上（on-chip）」路由，能在晶片間提供更高速度與更大的頻寬。另一方面，由於SiP技術(shù)運用已完善建立的基礎(chǔ)架構(gòu)，因此成本通常較低，且較容易建置。

Mitchell強調(diào)，每一項新技術(shù)都會面臨挑戰(zhàn)，而且在大多數(shù)的情況裡，這些挑戰(zhàn)都會被克服。雖然這些挑戰(zhàn)通常都與特定應(yīng)用相關(guān)，但3D IC技術(shù)一般來說會面臨的主要挑戰(zhàn)包含：有效的設(shè)計與製模工具、電源管理、熱量管理、基礎(chǔ)建設(shè)的完善度，以及最終成本的控制。此外，隨著這個產(chǎn)業(yè)朝向異質(zhì)3D IC堆疊整合的方向發(fā)展，為了解決良裸晶粒（known-good-die）問題，並協(xié)調(diào)不同裝置來源的設(shè)計與產(chǎn)品，將會衍伸出物流與商業(yè)上的諸多挑戰(zhàn)。