繼2012年晶圓代工廠突破28奈米制程后，帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈2013年朝向20奈米更高階的制程、整合式的封裝發(fā)展，但也讓IC設(shè)計(jì)公司因制程改變而延伸出的壽命問題。
宜特公司觀察發(fā)現(xiàn)，隨著云端整合技術(shù)日趨成熟、行動(dòng)通訊產(chǎn)品滲透率日增，半導(dǎo)體元件在行動(dòng)式裝置的發(fā)展仍以輕薄短小為主軸下，半導(dǎo)體元件制程則不斷朝更高階的28、20奈米移動(dòng)，并隨市場(chǎng)需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高階先進(jìn)封裝技術(shù)。特別在臺(tái)灣封測(cè)雙雄-日月光、矽品不僅已從Prototype實(shí)驗(yàn)階段，逐漸轉(zhuǎn)向量產(chǎn)態(tài)勢(shì)，晶圓大廠亦投入大量資本支出在新應(yīng)用產(chǎn)品上。
宜特科技工程總處資深副總經(jīng)理崔革文說(shuō)明，將多個(gè)IC置放至同一封裝體時(shí)，其整體壽命將會(huì)受到不同元件間的熱傳導(dǎo)相互干擾而下降，也就是10℃理論(溫度上升10 ℃，壽命縮減一半)；而高階制程的IC，則是在相同面積下放入更多電晶體，如此所產(chǎn)生的熱，高達(dá)以往IC產(chǎn)品的數(shù)倍，因此，溫度提高對(duì)IC壽命的影響將不容小覷。
崔革文更進(jìn)一步指出，IC間因制程差異所產(chǎn)生的功率變異范圍也隨之提升。如何在傳統(tǒng)的IC HTOL(高溫工作壽命實(shí)驗(yàn))中，有效、平穩(wěn)的控制每一個(gè)DUT(Device Under Test，被測(cè)元器件)的溫度，經(jīng)由穩(wěn)定的高溫加速模擬實(shí)驗(yàn)，獲得實(shí)際應(yīng)用的壽命預(yù)估數(shù)值，是目前IC設(shè)計(jì)公司高度關(guān)注的議題。
為解決IC設(shè)計(jì)公司因制程改變而延伸出的壽命問題，宜特導(dǎo)入「高功率」IC壽命模擬測(cè)試設(shè)備- HTOL(High Temperature Operating Life Test，高溫工作壽命試驗(yàn))解決方案，其設(shè)備所提供的Power與I/O訊號(hào)Channel供應(yīng)上更完整，并能以獨(dú)立溫控，取代傳統(tǒng)Air Cooling加溫方式，可協(xié)助IC設(shè)計(jì)公司降低IC試驗(yàn)時(shí)產(chǎn)生的不確定性，縮短量產(chǎn)前產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)間。