SiTime在學會上發(fā)表頻率波動不到1ppm、抖動低于1ps的振蕩器
這款硅振蕩器以SiTime的MEMS(微小電子機械系統(tǒng))技術為基礎,利用與振蕩器集成在同一芯片上的熱敏電阻進行溫度補償。當輸出信號的頻率為48MHz時,在-40~+85℃的溫度范圍內,可將頻率波動控制在±0.2ppm以內、抖動控制在1ps以下。某些條件下,還可替換還TCXO(溫度補償型晶體振蕩器),這是此前的市售硅振蕩器難以實現的。
SiTime在發(fā)表中還公開了該振蕩器的MEMS部分和熱敏電阻部分的詳細信息以及頻率穩(wěn)定性等數據。
在2012年1~2月舉行的MEMS領域國際學會“MEMS2012(The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems)”上,美國佐治亞理工學院(Georgia Institute of Technology)等也發(fā)表了可抑制硅振蕩器頻率波動的技術。在此后由Tech-On!舉行的報告會上,日本東北大學副教授田中秀治介紹了該技術與SiTime的技術。
在“2012 Hilton Head Workshops”上,除了SiTime以外,其他公司也發(fā)表了旨在解決硅振蕩器課題的技術。