三星、東芝NAND Flash市占差距縮減至0.3%

時(shí)間：2011-07-13 10:55:19

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[導(dǎo)讀]據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NANDFlash市場(chǎng)上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(SamsungElectronics)8年來(lái)業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(zhǎng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。外

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，2011年第1季NANDFlash市場(chǎng)上，日廠東芝(Toshiba)猛力追擊，以市占率0.3%差距，威脅三星電子(SamsungElectronics)8年來(lái)業(yè)界第1的地位。然而在快速成長(zhǎng)的行動(dòng)DRAM市場(chǎng)上，三星仍坐擁壓倒性的市占率。

外電引用市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)iSuppli統(tǒng)計(jì)指出，第1季NANDFlash市場(chǎng)上，三星營(yíng)收為19.12億美元，以市占率35.9%排名業(yè)界第1。排名第2的東芝同時(shí)期營(yíng)收為18.95億美元，市占率35.6%，僅相差3個(gè)百分點(diǎn)。

2010年第4季東芝營(yíng)收為16.64億美元，較2010年第3季增加13.9%；三星同期間則增加11.4%。外電指出，比較2011年第1季和2010年第1季時(shí)，東之營(yíng)收增加28.5%，然三星卻僅增加13.8%，使2010年第1季仍有1.1%的市占率差距縮減至0.3%。

NANDFlash市場(chǎng)上排名第3的美光(Micron)營(yíng)收為5.91億美元，市占率為11.1%。排名第4的企業(yè)為海力士半導(dǎo)體(Hynix)，營(yíng)收及市占率各為5.63億美元和10.6%。

外電指出，三星在NANDFlash市場(chǎng)上維持了8年以上的冠軍地位，未來(lái)將要付出更多的努力恢復(fù)其市占率。然預(yù)估第2季三星和東芝將會(huì)為爭(zhēng)奪業(yè)界第1的地位而展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。另外，第1季的調(diào)查數(shù)據(jù)中仍未反應(yīng)出日本大地震帶來(lái)的影響，至第3季初為止，可能都不會(huì)有明顯的影響。

另一方面，外電也指出，三星在行動(dòng)DRAM市場(chǎng)的表現(xiàn)不同于快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)，2011年第1季以營(yíng)收11億美元、市占率48.2%穩(wěn)坐第1名地位。三星市占率比排名第2的海力士和排名第3的爾必達(dá)(Elpida)合計(jì)市占率46.7%還高，居領(lǐng)導(dǎo)地位。

以年度營(yíng)收成績(jī)來(lái)看，三星營(yíng)收成長(zhǎng)126%、海力士為173%、爾必達(dá)則是607%，行動(dòng)DRAM正呈現(xiàn)爆炸性的成長(zhǎng)。