[導讀]在日本，硅通孔（TSV：ThroughSiliconVia）技術從10多年前開始就備受業(yè)界關注。比如，日本超尖端電子技術開發(fā)機構（ASET）從1999年度起就在通過名為“超高密度電子SI”的研究項目推進TSV相關開發(fā)。2008年東芝在全球率
在日本，硅通孔（TSV：ThroughSiliconVia）技術從10多年前開始就備受業(yè)界關注。比如，日本超尖端電子技術開發(fā)機構（ASET）從1999年度起就在通過名為“超高密度電子SI”的研究項目推進TSV相關開發(fā)。2008年東芝在全球率先開始量產(chǎn)憑借TSV實現(xiàn)小型化的CMOS圖像傳感器。
如上所述，在TSV技術研發(fā)方面，最初是日本走在了前面，但之后，TSV的用途并沒有多大的擴展，在演講會及研討會上，也傳出了“紙上談兵”這種諷刺之聲?，F(xiàn)在，TSV技術終于迎來了全面實用期。使用基于TSV的硅轉接板的FPGA已開始量產(chǎn)，支持高速且低耗電化WideI/ODRAM的基于TSV的應用處理器也將于2013～2014年開始量產(chǎn)。
但是，推動這些基于TSV的LSI產(chǎn)品的，主要是海外廠商。這些海外廠商包括：從事手機SoC業(yè)務的美國高通（Qualcomm）、從事FPGA生產(chǎn)的美國賽靈思（Xilinx）和美國阿爾特拉（Altera）、從事微處理器業(yè)務的美國IBM、從事硅代工業(yè)務的臺積電（TSMC）、從事后工序代工業(yè)務（OSAT）的美國安可科技（AmkorTechnology）和新加坡STATSChipPAC等。而在日本國內(nèi)，雖然曾有爾必達存儲器堅持不懈地開發(fā)使用TSV的WideI/ODRAM，但該公司卻于2012年2月宣布破產(chǎn)。甚至有某設備廠商指出，“日本的TSV要落后世界潮流1～2周”。
雖說如此，TSV技術也不會從日本消失。比如，東芝就打算在NAND閃存中應用在CMOS圖像傳感器的量產(chǎn)中培育起來的，名為“背面通孔（BacksideVia）”的低成本TSV技術。而且，旭硝子也開發(fā)出了成本有望比硅轉接板降低一位數(shù)的玻璃轉接板微細加工技術。此外，以長年從事三維LSI研究的日本東北大學教授，日本未來科學技術共同研究小心的小柳光正為中心的研究小組，目前正在日本宮城縣多賀城市的“宮城復興工業(yè)園”內(nèi)建設可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線，預定2013年3月完工。因此，日本廠商今后有望在TSV技術的研發(fā)方面再現(xiàn)輝煌。
如上所述，在TSV技術研發(fā)方面，最初是日本走在了前面，但之后，TSV的用途并沒有多大的擴展，在演講會及研討會上，也傳出了“紙上談兵”這種諷刺之聲?，F(xiàn)在，TSV技術終于迎來了全面實用期。使用基于TSV的硅轉接板的FPGA已開始量產(chǎn)，支持高速且低耗電化WideI/ODRAM的基于TSV的應用處理器也將于2013～2014年開始量產(chǎn)。
但是，推動這些基于TSV的LSI產(chǎn)品的，主要是海外廠商。這些海外廠商包括：從事手機SoC業(yè)務的美國高通（Qualcomm）、從事FPGA生產(chǎn)的美國賽靈思（Xilinx）和美國阿爾特拉（Altera）、從事微處理器業(yè)務的美國IBM、從事硅代工業(yè)務的臺積電（TSMC）、從事后工序代工業(yè)務（OSAT）的美國安可科技（AmkorTechnology）和新加坡STATSChipPAC等。而在日本國內(nèi)，雖然曾有爾必達存儲器堅持不懈地開發(fā)使用TSV的WideI/ODRAM，但該公司卻于2012年2月宣布破產(chǎn)。甚至有某設備廠商指出，“日本的TSV要落后世界潮流1～2周”。
雖說如此，TSV技術也不會從日本消失。比如，東芝就打算在NAND閃存中應用在CMOS圖像傳感器的量產(chǎn)中培育起來的，名為“背面通孔（BacksideVia）”的低成本TSV技術。而且，旭硝子也開發(fā)出了成本有望比硅轉接板降低一位數(shù)的玻璃轉接板微細加工技術。此外，以長年從事三維LSI研究的日本東北大學教授，日本未來科學技術共同研究小心的小柳光正為中心的研究小組，目前正在日本宮城縣多賀城市的“宮城復興工業(yè)園”內(nèi)建設可處理300mm晶圓的三維LSI試制生產(chǎn)線，預定2013年3月完工。因此，日本廠商今后有望在TSV技術的研發(fā)方面再現(xiàn)輝煌。
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